[发明专利]一维纳米材料植入金属电极表面的方法

权利要求书

1.一种一维纳米材料植入金属电极表面的方法，其特征在于，包括如下步骤：

第一步、对一维纳米材料进行包含切短、纯化、表面改性的预处理；

第二步、将预处理后的一维纳米材料与聚合物介质混合后进行研磨；

第三步、将研磨后的混合体进行除气处理；

第四步、将处理后的一维纳米材料和聚合物介质的混合体流平在基片上；

第五步、烘胶固化复合薄膜，并经磨平抛光后使用刻蚀液对整平后的复合薄膜表层进行化学刻蚀；

第六步、在刻蚀过的复合薄膜上依次进行沉积处理和电镀处理；

第七步、采用刻蚀剂释放聚合物介质，获得一维纳米材料植入金属电极表面。

2.根据权利要求1所述的一维纳米材料植入金属电极表面的方法，其特征是，所述的预处理包括：

1.1)采用行星球磨机以转速200-600rpm球磨时间2-10小时，将一维纳米材料球磨至平均长度0.1-15μm；

1.2)用强酸或强碱对一维纳米材料煮沸3-10小时后用去离子水洗涤至中性，然后用高速离心机分离；

1.3)对一维纳米材料进行纯化处理以去除一维纳米材料制备过程中残余的杂质，具体步骤为：用强酸或强碱对一维纳米材料煮沸5-21小时后用去离子水洗涤至中性，然后用高速离心机分离；

1.4)将一维纳米材料冷冻干燥备用。

3.根据权利要求1所述的一维纳米材料植入金属电极表面的方法，其特征是，所述的研磨是指：把一维纳米材料和聚合物介质混合物按1∶5-1∶20加入行星球磨机研钵中以转速200-600rpm球磨时间2-10小时。

4.根据权利要求2所述的一维纳米材料植入金属电极表面的方法，其特征是，所述的除气处理包括：

3.1)将装有混合体的研钵放入真空箱，进行真空抽气30-60分钟；

3.2)将研钵放入超声箱进行超声除气15-30分钟。

5.根据权利要求2所述的一维纳米材料植入金属电极表面的方法，其特征是，所述的流平在基片是指：

4.1)将经过研磨除气后的一维纳米材料与聚合物介质混合体倒在基片中央，用甩胶机把基片上的混合体甩平，甩胶机转速为400-500rpm，甩胶时间为3-5分钟；

4.2)对甩胶后的基片进一步进行抽真空除气处理，时间为30-60分钟，除气后用超声机进行超声，时间为20-60分钟。

6.根据权利要求1或5所述的一维纳米材料植入金属电极表面的方法，其特征是，所述的基片可以是硅片、玻璃或陶瓷，其粗糙度为0.001～50微米。

7.根据权利要求1所述的一维纳米材料植入金属电极表面的方法，其特征是，所述的刻蚀液为pH值在8.5-13.5的NaOH或Na₃PO₄水溶液。

8.根据权利要求1所述的一维纳米材料植入金属电极表面的方法，其特征是，所述的化学刻蚀是指：刻蚀5-300秒后用盐酸中和，再用去离子水洗涤。

9.根据权利要求1所述的一维纳米材料植入金属电极表面的方法，其特征是，所述的沉积处理是指：沉积30nmCr-50nmCu的金属种子层。

10.根据权利要求9所述的一维纳米材料植入金属电极表面的方法，其特征是，所述的电镀处理是指：在金属种子层上电镀一层10-50微米的基体金属层，该基体金属层具体为Ni、Cu、Zn、Al等易电镀的金属元素。