[发明专利]薄膜晶体管和制备薄膜晶体管的方法有效
| 申请号： | 201010209348.3 | 申请日： | 2010-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN101931009A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | 梅田贤一;铃木真之;田中淳;奈良裕树 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/12;H01L29/423;H01L21/34 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 陈平 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开薄膜晶体管和制备薄膜晶体管的方法。本发明提供一种包含活性层的薄膜晶体管，所述活性层包含IGZO基氧化物材料，所述IGZO基氧化物材料由组成式In2-xGaxZnO4-δ表示，其中0.75＜x＜1.10并且0＜δ≤1.29161×exp(-x/0.11802)+0.00153，并且所述IGZO基氧化物材料由具有YbFe2O4的晶体结构的IGZO的单相形成，以及提供一种制备所述薄膜晶体管的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，所述的薄膜晶体管包含活性层，所述活性层包含IGZO基氧化物材料，所述IGZO基氧化物材料由组成式In2 xGaxZnO4 δ表示，其中0.75＜x＜1.10并且0＜δ≤1.29161×exp( x/0.11802)+0.00153，并且所述IGZO基氧化物材料由具有YbFe2O4的晶体结构的IGZO的单相形成。
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