[发明专利]薄膜晶体管和制备薄膜晶体管的方法有效

申请号：	201010209348.3	申请日：	2010-06-21
公开（公告）号：	CN101931009A	公开（公告）日：	2010-12-29
发明（设计）人：	梅田贤一;铃木真之;田中淳;奈良裕树	申请（专利权）人：	富士胶片株式会社
主分类号：	H01L29/786	分类号：	H01L29/786;H01L29/12;H01L29/423;H01L21/34
代理公司：	中科专利商标代理有限责任公司 11021	代理人：	陈平
地址：	日本国***	国省代码：	日本;JP
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摘要：
搜索关键词：	薄膜晶体管制备方法
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【权利要求书】：

1.一种薄膜晶体管，所述的薄膜晶体管包含活性层，所述活性层包含IGZO基氧化物材料，所述IGZO基氧化物材料由组成式In_2-xGa_xZnO_4-δ表示，其中0.75＜x＜1.10并且0＜δ≤1.29161×exp(-x/0.11802)+0.00153，并且所述IGZO基氧化物材料由具有YbFe₂O₄的晶体结构的IGZO的单相形成。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述活性层的电阻率的值为1×10²Ω·cm至1×10⁹Ω·cm。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述组成式中的x满足0.80≤x≤1.05。

4.一种制备根据权利要求1所述的薄膜晶体管的方法，其中所述活性层通过包括以下步骤的工艺制备：

在基板上形成包含In、Ga和Zn的薄膜材料；

将所述薄膜材料加热到所述薄膜材料的结晶温度；和

将所述薄膜材料以50℃/hr至500℃/hr的平均降温速率从所述结晶温度冷却到300℃。

5.根据权利要求4所述的制备薄膜晶体管的方法，其中通过气相成膜在所述基板上形成所述薄膜材料。

6.根据权利要求4所述的制备薄膜晶体管的方法，其中所述结晶温度为700℃至1400℃。

7.根据权利要求4所述的制备薄膜晶体管的方法，其中所述平均降温速率为100℃/hr至200℃/hr。

8.一种制备薄膜晶体管的方法，所述方法包括：

在基板上形成活性层，所述活性层包括IGZO基氧化物材料，所述IGZO基氧化物材料由组成式In_2-xGa_xZnO_4-δ表示，其中0.75＜x＜1.10并且δ＞0，并且所述IGZO基氧化物材料由具有YbFe₂O₄的晶体结构的IGZO的单相形成；和

通过将所述活性层在含氧的氧化气氛中进行后退火，将δ值控制到0＜δ≤1.29161×exp(-x/0.11802)+0.00153的范围。