[发明专利]显示装置及制造该显示装置的方法有效
| 申请号： | 201010205314.7 | 申请日： | 2010-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN102034745A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 崔永柱;李禹根;柳慧英;金己园 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L21/768;C23F1/18;C23F1/02;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种显示装置及制造该显示装置的方法。所述制造显示装置的方法包括：在底基板上形成栅极图案，所述栅极图案包括栅极线和栅电极；通过图案化数据金属层和氧化物半导体层两者来形成半导体图案和源极图案，其中，所述数据金属层和所述氧化物半导体层形成在具有所述栅极图案的所述底基板上，所述数据金属层包括第一铜合金层，并且所述氧化物半导体层包括氧化物半导体，其中，所述源极图案包括数据线、源电极和漏电极；并且在具有所述源极图案的底基板上形成电连接至所述漏电极的像素电极。 | ||
| 搜索关键词： | 显示装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造显示装置的方法，所述方法包括：在底基板上形成栅极图案，所述栅极图案包括栅极线和栅电极；通过图案化数据金属层和氧化物半导体层两者来形成半导体图案和源极图案，其中，所述数据金属层和所述氧化物半导体层形成在具有所述栅极图案的所述底基板上，所述数据金属层包括第一铜合金层，并且所述氧化物半导体层包括氧化物半导体，其中，所述源极图案包括数据线、源电极和漏电极；以及在具有所述源极图案的所述底基板上形成电连接至所述漏电极的像素电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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