[发明专利]显示装置及制造该显示装置的方法

权利要求书

1.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：

在底基板上形成栅极图案，所述栅极图案包括栅极线和栅电极；

通过图案化数据金属层和氧化物半导体层两者来形成半导体图案和源极图案，其中，所述数据金属层和所述氧化物半导体层形成在具有所述栅极图案的所述底基板上，所述数据金属层包括第一铜合金层，并且所述氧化物半导体层包括氧化物半导体，其中，所述源极图案包括数据线、源电极和漏电极；以及

在具有所述源极图案的所述底基板上形成电连接至所述漏电极的像素电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，对数据金属层和氧化物半导体层两者进行的图案化包括使用蚀刻剂组合物，并且所述蚀刻剂组合物包括：

按重量计约0.1％到约50％的过硫酸盐；

按重量计约0.01％到约5％的唑化合物；

按重量计约0.05％到约0.25％的氟化合物；以及

按重量计约45％到约99.84％的溶剂。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，对数据金属层和氧化物半导体层两者进行的图案化包括使用蚀刻剂组合物，并且所述蚀刻剂组合物包括：

按重量计约1％到约10％的过硫酸盐；

按重量计约0.1％到约1％的唑化合物；

按重量计约0.1％到约0.2％的氟化合物；以及

按重量计约85％到约99％的溶剂。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，当将所述蚀刻剂组合物的总重量定义为100份时，所述蚀刻剂组合物进一步包括按重量计约0.01份至约40份的添加剂，所述添加剂包括选自硝酸、硝酸盐、硫酸、硫酸盐、磷酸、磷酸盐、醋酸以及醋酸盐组成的组中的至少一种。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，当将所述蚀刻剂组合物的总重量定义为100份时，所述蚀刻剂组合物进一步包括按重量计约0.001份至约10份的磺酸基化合物或按重量计约0.0001份至约5份的螯合剂。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一铜合金层包括铜和锰。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述数据金属层进一步包括形成在所述第一铜合金层上的铜层。

8.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述氧化物半导体层和所述数据金属层之间形成蚀刻阻止层，所述蚀刻阻止层与所述栅电极的至少一部分交叠。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，形成所述源极图案包括：

在具有所述氧化物半导体层、所述蚀刻阻止层和所述数据金属层的所述底基板上的源极区和漏极区上形成光刻胶图案，以露出所述源极区和所述漏极区之间的沟道区；以及

利用蚀刻剂组合物并利用所述光刻胶图案作为蚀刻掩模对所述数据金属层和所述氧化物半导体层进行蚀刻，

其中，对所述数据金属层和所述氧化物半导体层进行蚀刻以形成所述数据线、所述源电极、所述漏电极和所述半导体图案。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述源极图案包括：

在所述数据金属层上形成光刻胶图案，所述光刻胶图案具有位于源极线区、源极区和漏极区上的第一部分以及位于所述源极区和所述漏极区之间的沟道区上的第二部分，所述第一部分厚于所述第二部分；

利用蚀刻剂组合物并利用所述光刻胶图案作为蚀刻掩模对所述数据金属层和所述氧化物半导体层进行蚀刻；

去除所述沟道区上的所述光刻胶图案以露出沟道区上的所述数据金属层；以及

去除沟道区上的所述数据金属层以露出所述沟道区上的所述半导体图案，

其中，蚀刻所述数据金属层和所述氧化物半导体层，从而形成所述半导体图案，所述数据线和连接至所述数据线的电极图案形成在所述源极区、漏极区和沟道区上，并且其中，在露出所述沟道区上的所述半导体图案时，去除所述沟道区上的所述电极图案，从而形成所述源电极和所述漏电极。