[发明专利]集成电路元件的形成方法有效
| 申请号： | 201010202885.5 | 申请日： | 2010-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN102103995A | 公开（公告）日： | 2011-06-22 |
| 发明（设计）人： | 刘重希;余振华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种集成电路元件的形成方法，该方法包括进行一栅极置换工艺以形成栅极结构，其中该栅极置换工艺包含回火工艺；在回火工艺后移除部分介电材料层以形成接触开口以露出部分基板；经由该接触开口，形成金属硅化物结构于露出的部分基板上；以及填入该接触开口，以形成接触物于露出的基板上。本发明的栅极置换工艺的回火工艺将不受接触结构的热预算限制。这将提高栅极置换工艺容忍度，可高温回火以调整栅极的工作函数。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 元件 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路元件的形成方法，包括：提供一基板，且该基板上具有一虚置栅极；进行一栅极置换工艺以形成一栅极结构，其中该栅极置换工艺包括一回火工艺；在回火工艺后移除部分介电层，以形成一接触开口露出部分该基板；形成一金属硅化物结构于该接触开口所露出的基板上；以及填入该接触开口以形成一接触物于露出的该基板上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
