[发明专利]集成电路元件的形成方法

权利要求书

1.一种集成电路元件的形成方法，包括：

提供一基板，且该基板上具有一虚置栅极；

进行一栅极置换工艺以形成一栅极结构，其中该栅极置换工艺包括一回火工艺；

在回火工艺后移除部分介电层，以形成一接触开口露出部分该基板；

形成一金属硅化物结构于该接触开口所露出的基板上；以及

填入该接触开口以形成一接触物于露出的该基板上。

2.如权利要求1所述的集成电路元件的形成方法，其中该回火工艺的温度大于或等于550℃。

3.如权利要求1所述的集成电路元件的形成方法，其中进行该栅极置换工艺的步骤包括：

移除该虚置电极，形成一沟槽；以及

沉积一栅极介电层及一栅极于该沟槽中。

4.一种集成电路元件的形成方法，包括：

提供一基板，且该基板上具有一栅极结构；

将该栅极结构中的虚置栅极置换为一金属栅极；

进行一高温回火工艺以调整该金属栅极的阈值电压；以及

在该高温回火工艺后，形成一金属硅化物区于该基板中。

5.如权利要求4所述的集成电路元件的形成方法，其中在高温回火工艺后，形成该金属硅化物区于该基板中的步骤，包括：

形成一介电材料层于该基板上；

移除部分该介电材料层以形成一开口露出部分该基板；以及

经由该开口进行一金属硅化工艺，以形成该金属硅化物区。

6.如权利要求5所述的集成电路元件的形成方法，还包括将一导电材料填入该开口，以形成一接触物于该基板上。

7.如权利要求4所述的集成电路元件的形成方法，其中该高温回火工艺的温度大于或等于550℃。

8.如权利要求4所述的集成电路元件的形成方法，其中形成该金属硅化物区于该基板中的步骤包括形成该金属硅化区于一源极/漏极区中。

9.一种集成电路元件的形成方法，包括：

提供一基板；

形成一栅极结构于该基板上，其中该栅极结构包括一具有虚置栅极的栅极堆叠；

形成一掺杂区于该基板中；

形成一介电材料层于该基板上；

移除该栅极堆叠中的该虚置电极，以形成一沟槽；

形成一栅极于该沟槽中；

进行一回火工艺；

在该回火工艺后，移除部分该介电材料层，以形成一接触开口露出该栅极中的掺杂区；

经由该接触开口进行一金属硅化工艺，形成一金属硅化物结构于该掺杂区中；以及

填入该接触开口以形成一接触物于该掺杂区上。

10.如权利要求9所述的集成电路元件的形成方法，其中该回火工艺是一高温回火工艺，且该回火工艺的温度介于550℃至800℃之间。

11.如权利要求9所述的集成电路元件的形成方法，其中进行该回火工艺的步骤包括快速热回火工艺。

12.如权利要求9所述的集成电路元件的形成方法，其中形成该介电材料层于该基板上的步骤，及移除部分该介电材料层以形成该接触开口的步骤，包括：

在形成该掺杂区于该基板中后，形成一蚀刻停止层及一第一介电材料层于该基板上；

进行一化学机械研磨工艺于该蚀刻停止层及该第一介电材料层上，直到露出该栅极结构的顶部；

在形成该栅极于该沟槽的步骤后，形成一第二介电层于该基板上；以及

移除部分该蚀刻停止层、部分该第一介电层、及部分该第二介电层以形成该接触开口。

13.如权利要求9所述的集成电路元件的形成方法，其中形成该栅极于该沟槽中的步骤包括形成一高介电常数材料层及一导电材料层。