[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

本发明揭示不同的半导体装置的制造方法。一种半导体装置的制造方法，包括提供一半导体基底及在其上形成一栅极结构。栅极结构包括一第一间隙壁及与其隔开的一第二间隙壁。栅极结构也包括位于第一及第二间隙壁之间的一牺牲栅极。此方法也包括自栅极结构局部去除牺牲栅极，以形成一未完整沟槽。另外，此方法也包括局部去除邻接于未完整沟槽的第一及第二间隙壁，以形成未完整沟槽的一扩宽部。再者，此方法也包括自栅极结构去除牺牲栅极的一剩余部，以形成一完整沟槽。接着在完整沟槽内形成一高介电常数材料层以及一金属栅极。本发明改进了栅极金属填充并且提供了一种简单且节省成本的制造方法。

主权项

一种半导体装置的制造方法，包括：提供一半导体基底；在该半导体基底上方形成一栅极结构，该栅极结构包括一第一间隙壁、与该第一件隙壁隔开的一第二间隙壁、以及位于该第一间隙壁及该第二间隙壁之间的一牺牲栅极；自该栅极结构局部去除该牺牲栅极，以形成一未完整沟槽；局部去除邻接于该未完整沟槽的该第一间隙壁及该第二间隙壁，以形成该未完整沟槽的一扩宽部；自该栅极结构去除该牺牲栅极的一剩余部，以形成一完整沟槽；在该完整沟槽内形成一高介电常数材料层；以及在该完整沟槽内形成一金属栅极。