[发明专利]制造固态成像器件的方法以及固态成像器件无效
申请号: | 201010202823.4 | 申请日: | 2010-06-10 |
公开(公告)号: | CN101930944A | 公开(公告)日: | 2010-12-29 |
发明(设计)人: | 东宫祥哲;堀伊奈;堂福忠幸;上家仁美;山本笃志;名取太知 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82;H01L21/306;H01L21/301;H01L27/146;H04N5/335 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 王安武;南霆 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及制造固态成像器件的方法以及固态成像器件。本发明公开的一种制造固态成像器件的方法包括下列步骤:在半导体衬底的光接收区域中形成光接收部分;在半导体衬底的盘区域中形成盘部分;在光接收部分和盘部分上方形成微透镜材料层;给微透镜材料层设置与光接收部分对应的微透镜;在微透镜材料层上形成低反射材料层;对盘部分上方的微透镜材料层和低反射材料层进行刻蚀以形成开口;通过常温氧自由基处理,给低反射材料层的表面和开口的内部部分施加亲水性。 | ||
搜索关键词: | 制造 固态 成像 器件 方法 以及 | ||
【主权项】:
一种制造固态成像器件的方法,包括下列步骤:在半导体衬底的光接收区域中形成光接收部分;在所述半导体衬底的盘区域中形成盘部分;在所述光接收部分和所述盘部分上方形成微透镜材料层;给所述微透镜材料层设置与所述光接收部分对应的微透镜;在所述微透镜材料层上形成低反射材料层;对所述盘部分上方的所述微透镜材料层和所述低反射材料层进行刻蚀以形成开口;以及通过常温氧自由基处理,给所述低反射材料层的表面和所述开口的内部部分施加亲水性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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