[发明专利]制造固态成像器件的方法以及固态成像器件无效
申请号: | 201010202823.4 | 申请日: | 2010-06-10 |
公开(公告)号: | CN101930944A | 公开(公告)日: | 2010-12-29 |
发明(设计)人: | 东宫祥哲;堀伊奈;堂福忠幸;上家仁美;山本笃志;名取太知 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82;H01L21/306;H01L21/301;H01L27/146;H04N5/335 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 王安武;南霆 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 固态 成像 器件 方法 以及 | ||
1.一种制造固态成像器件的方法,包括下列步骤:
在半导体衬底的光接收区域中形成光接收部分;
在所述半导体衬底的盘区域中形成盘部分;
在所述光接收部分和所述盘部分上方形成微透镜材料层;
给所述微透镜材料层设置与所述光接收部分对应的微透镜;
在所述微透镜材料层上形成低反射材料层;
对所述盘部分上方的所述微透镜材料层和所述低反射材料层进行刻蚀以形成开口;以及
通过常温氧自由基处理,给所述低反射材料层的表面和所述开口的内部部分施加亲水性。
2.根据权利要求1所述的方法,还包括下列步骤:通过常温氧自由基处理,给所述微透镜材料层的表面施加亲水性。
3.一种制造固态成像器件的方法,包括下列步骤:
通过常温氧自由基处理,给半导体衬底的表面施加亲水性;以及
在施加亲水性的步骤之后,对所述半导体衬底进行分片。
4.一种固态成像器件,包括:
半导体衬底;
光接收部分,形成于所述半导体衬底中;
盘部分,形成于所述半导体衬底上方;
微透镜材料层,形成于所述光接收部分和所述盘部分上方;
低反射材料层,其形成于所述微透镜材料层上方,并且其表面被处理成亲水的;以及
开口,形成在位于所述盘部分上的所述微透镜材料层和所述低反射材料层中;
其中,所述开口的侧壁被处理成亲水的,从所述开口的这些侧壁暴露的所述微透镜材料层不表现成相对于所述低反射材料层凹入。
5.根据权利要求4所述的固态成像器件,其中,所述低反射材料层和所述开口的侧壁通过常温氧自由基处理而成为亲水的。
6.根据权利要求5所述的固态成像器件,其中,所述微透镜层的表面被处理成亲水的。
7.一种电子设备,包括:
固态成像器件,其包括:
半导体衬底;
光接收部分,形成于所述半导体衬底中;
盘部分,形成于所述半导体衬底上方;
微透镜材料层,形成于所述光接收部分和所述盘部分上方;
低反射材料层,其形成于所述微透镜材料层上方,并且其表面被处理成亲水的;和
开口,形成在位于所述盘部分上的所述微透镜材料层和所述低反射材料层中;
所述开口的侧壁被处理成亲水的,从所述开口的这些侧壁暴露的所述微透镜材料层不表现成相对于所述低反射材料层凹入;
光学系统,能够将入射光导向所述固态成像器件的成像部分;以及
信号处理电路,能够对来自所述固态成像器件的输出信号进行处理。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司,未经索尼公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010202823.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:薄膜晶体管和制备薄膜晶体管的方法
- 下一篇:一种视频传输的差错控制方法及系统
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造