[发明专利]制造固态成像器件的方法以及固态成像器件无效

专利信息
申请号: 201010202823.4 申请日: 2010-06-10
公开(公告)号: CN101930944A 公开(公告)日: 2010-12-29
发明(设计)人: 东宫祥哲;堀伊奈;堂福忠幸;上家仁美;山本笃志;名取太知 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H01L21/82 分类号: H01L21/82;H01L21/306;H01L21/301;H01L27/146;H04N5/335
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 代理人: 王安武;南霆
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 制造 固态 成像 器件 方法 以及
【权利要求书】:

1.一种制造固态成像器件的方法,包括下列步骤:

在半导体衬底的光接收区域中形成光接收部分;

在所述半导体衬底的盘区域中形成盘部分;

在所述光接收部分和所述盘部分上方形成微透镜材料层;

给所述微透镜材料层设置与所述光接收部分对应的微透镜;

在所述微透镜材料层上形成低反射材料层;

对所述盘部分上方的所述微透镜材料层和所述低反射材料层进行刻蚀以形成开口;以及

通过常温氧自由基处理,给所述低反射材料层的表面和所述开口的内部部分施加亲水性。

2.根据权利要求1所述的方法,还包括下列步骤:通过常温氧自由基处理,给所述微透镜材料层的表面施加亲水性。

3.一种制造固态成像器件的方法,包括下列步骤:

通过常温氧自由基处理,给半导体衬底的表面施加亲水性;以及

在施加亲水性的步骤之后,对所述半导体衬底进行分片。

4.一种固态成像器件,包括:

半导体衬底;

光接收部分,形成于所述半导体衬底中;

盘部分,形成于所述半导体衬底上方;

微透镜材料层,形成于所述光接收部分和所述盘部分上方;

低反射材料层,其形成于所述微透镜材料层上方,并且其表面被处理成亲水的;以及

开口,形成在位于所述盘部分上的所述微透镜材料层和所述低反射材料层中;

其中,所述开口的侧壁被处理成亲水的,从所述开口的这些侧壁暴露的所述微透镜材料层不表现成相对于所述低反射材料层凹入。

5.根据权利要求4所述的固态成像器件,其中,所述低反射材料层和所述开口的侧壁通过常温氧自由基处理而成为亲水的。

6.根据权利要求5所述的固态成像器件,其中,所述微透镜层的表面被处理成亲水的。

7.一种电子设备,包括:

固态成像器件,其包括:

半导体衬底;

光接收部分,形成于所述半导体衬底中;

盘部分,形成于所述半导体衬底上方;

微透镜材料层,形成于所述光接收部分和所述盘部分上方;

低反射材料层,其形成于所述微透镜材料层上方,并且其表面被处理成亲水的;和

开口,形成在位于所述盘部分上的所述微透镜材料层和所述低反射材料层中;

所述开口的侧壁被处理成亲水的,从所述开口的这些侧壁暴露的所述微透镜材料层不表现成相对于所述低反射材料层凹入;

光学系统,能够将入射光导向所述固态成像器件的成像部分;以及

信号处理电路,能够对来自所述固态成像器件的输出信号进行处理。

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