[发明专利]一种太阳能级硅的歧化反应制取法无效
| 申请号： | 201010202343.8 | 申请日： | 2010-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN101880044A | 公开（公告）日： | 2010-11-10 |
| 发明（设计）人： | 李绍光 | 申请（专利权）人： | 李绍光 |
| 主分类号： | C01B33/039 | 分类号： | C01B33/039 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 110013 辽宁省沈阳*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种太阳能级硅的歧化反应制取法，其特征在于它由如下步骤组成：(一)将二氧化硅和工业硅用气流磨分别粉碎成微粉；(二)将微粉分别置于浓硝酸中浸泡；(三)滤去硝酸后，将微粉用纯净水冲洗，再在真空室中加热烘干；(四)、(五)将烘干后的二氧化硅和工业硅微粉按摩尔比1∶1的配比混合，再用真空热等静压装置热压固结成块；(六)将热压成型后的二氧化硅、工业硅混合固结块置于联体式真空高温歧化反应装置中进行歧化反应并制取纯度达到6N的太阳能级硅。也可将两种微粉按摩尔比1∶1混合后用硝酸浸泡；然后再经过过滤、冲洗、烘干、热压成块；最后送入歧化反应装置中进行歧化反应制取太阳能级硅。本发明既节约了设备投资；又降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳 能级 歧化反 应制 取法 | ||
【主权项】：
一种太阳能级硅的歧化反应制取法，其特征在于它由如下步骤组成：(一)将二氧化硅和工业硅用气流磨分别粉碎成二氧化硅和工业硅的微粉，使其粒度达到50～200目；(二)将粉碎后的二氧化硅和工业硅微粉分别置于浓硝酸中浸泡并搅拌1～4小时；(三)滤去硝酸后，将上述经过浓硝酸处理过后的二氧化硅和工业硅微粉用纯净水冲洗1小时以上，，再在真空室中加热烘干；(四)将烘干后的二氧化硅和工业硅微粉按摩尔比1∶1的配比均匀混合；(五)将混合均匀的二氧化硅和工业硅微粉装入包套中，用热等静压装置热压固结成块；(六)将热压成型后的二氧化硅、工业硅混合固结块置于联体式真空高温歧化反应装置中进行歧化反应并制取纯度达到6N的太阳能级硅。
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