[发明专利]一种太阳能级硅的歧化反应制取法

权利要求书

1.一种太阳能级硅的歧化反应制取法，其特征在于它由如下步骤组成：

(一)将二氧化硅和工业硅用气流磨分别粉碎成二氧化硅和工业硅的微粉，使其粒度达到50～200目；

(二)将粉碎后的二氧化硅和工业硅微粉分别置于浓硝酸中浸泡并搅拌1～4小时；

(三)滤去硝酸后，将上述经过浓硝酸处理过后的二氧化硅和工业硅微粉用纯净水冲洗1小时以上，，再在真空室中加热烘干；

(四)将烘干后的二氧化硅和工业硅微粉按摩尔比1∶1的配比均匀混合；

(五)将混合均匀的二氧化硅和工业硅微粉装入包套中，用热等静压装置热压固结成块；

(六)将热压成型后的二氧化硅、工业硅混合固结块置于联体式真空高温歧化反应装置中进行歧化反应并制取纯度达到6N的太阳能级硅。

2.按权利要求1所述的太阳能级硅的歧化反应制取法，其特征在于所说的步骤(三)中的真空室压强为10^-2托、烘干温度为150～250℃，保温1～4小时。

3.按权利要求1所述的太阳能级硅的歧化反应制取法，其特征在于所说的步骤(五)中包套内的压强为10^-2托，热等静压温度为700～1000℃，压力为50～120兆帕。

4.按权利要求1所述的太阳能级硅的歧化反应制取法，其特征在于所说的步骤(六)中的联体式真空高温歧化反应装置其第一反应炉压强为1×10^-4托，温度为1250～1300℃；第二反应炉压强为1×10^-5托，温度为1450～1500℃。

5.一种太阳能级硅的歧化反应制取法，其特征在于它由如下步骤组成：

(一)将二氧化硅和工业硅用气流磨分别粉碎成二氧化硅和工业硅的微粉，使其粒度达到50～200目；

(二)将粉碎后的二氧化硅和工业硅微粉按摩尔比1∶1配料后加以均匀混合；

(三)将混合好后的二氧化硅和工业硅微粉置于浓硝酸中浸泡并搅拌1～4小时；

(四)滤去硝酸后，将上述经过浓硝酸处理过后的二氧化硅和工业硅混合物用纯净水冲洗1小时以上，，再在真空室中加热烘干；

(五)将烘干后的二氧化硅和工业硅混合物装入包套中，用热等静压装置热压成固结块；

(六)将热压成型后的二氧化硅、工业硅混合固结块置于联体式真空高温歧化反应装置中进行歧化反应并制取纯度达到6N的太阳能级硅。

6.按权利要求5所述的太阳能级硅的歧化反应制取法，其特征在于所说的步骤(四)中的真空室压强为10^-2托，烘干温度为150～250℃，保温1～4小时。

7.按权利要求5所述的太阳能级硅的歧化反应制取法，其特征在于所说的步骤(五)中包套内的压强为10^-2托，热等静压温度为700～1000℃，压力为50～120兆帕。

8.按权利要求5所述的太阳能级硅的歧化反应制取法，其特征在于所说的步骤(六)中的联体式真空高温歧化反应装置其第一反应炉压强为1×10^-4托，温度为1250～1300℃；第二反应炉压强为1×10^-5托，温度为1450～1500℃。