[发明专利]采用MOCVD制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法有效
| 申请号： | 201010201505.6 | 申请日： | 2010-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN101899706A | 公开（公告）日： | 2010-12-01 |
| 发明（设计）人： | 孙莉莉;闫发旺;张会肖;王军喜;王国宏;曾一平;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B25/16 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法，该方法采用金属有机化合物气相外延工艺，具体步骤如下：选择一衬底；在该衬底上生长一层非极性GaN薄膜；以及在该非极性GaN薄膜上生长非极性GaN基稀磁半导体材料。利用本发明，能够获得具有高居里温度(Tc)的高质量单晶相非极性GaN基稀磁半导体薄膜材料。此外，非极性GaN基稀磁半导体薄膜材料具有独特的面内各向异性分布特性(结构、光学、电学和磁学性质)，这些性质无论对基础研究还是应用研究都具有重大意义，本发明将开辟GaN基稀磁半导体研究的新领域。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 mocvd 制备 极性 gan 基稀磁 半导体材料 方法 | ||
【主权项】：
一种制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法，其特征在于，该方法采用金属有机化合物气相外延工艺，具体步骤如下：选择一衬底；在该衬底上生长一层非极性GaN薄膜；以及在该非极性GaN薄膜上生长非极性GaN基稀磁半导体材料。
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