[发明专利]采用MOCVD制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法有效
| 申请号： | 201010201505.6 | 申请日： | 2010-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN101899706A | 公开（公告）日： | 2010-12-01 |
| 发明（设计）人： | 孙莉莉;闫发旺;张会肖;王军喜;王国宏;曾一平;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B25/16 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 采用 mocvd 制备 极性 gan 基稀磁 半导体材料 方法 | ||
1.一种制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法，其特征在于，该方法采用金属有机化合物气相外延工艺，具体步骤如下：
选择一衬底；
在该衬底上生长一层非极性GaN薄膜；以及
在该非极性GaN薄膜上生长非极性GaN基稀磁半导体材料。
2.根据权利要求1所述的制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法，其特征在于，所述衬底为r面蓝宝石衬底。
3.根据权利要求1所述的制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法，其特征在于，所述非极性GaN薄膜用于作为过渡层，所述在衬底上生长一层非极性GaN薄膜包括：
将衬底放入金属有机化合物气相外延的反应室内，在氢气气氛下加热衬底到1000℃～1100℃并保持至少10分钟，以净化衬底表面；
将该反应室内的压强调节到40Torr～100Torr，温度保持在1000℃～1100℃之间，在衬底上生长一层非极性GaN薄膜，该非极性GaN薄膜作为过渡层。
4.根据权利要求1所述的制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法，其特征在于，所述非极性GaN薄膜的厚度为0.5μm～2μm。
5.根据权利要求1所述的制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法，其特征在于，所述在该非极性GaN薄膜上生长非极性GaN基稀磁半导体材料，其生长温度介于1000℃～1100℃之间，压强介于40Torr～100Torr之间。
6.根据权利要求1所述的制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法，其特征在于，所述非极性GaN基稀磁半导体材料的厚度为0.2μm～2μm。
7.根据权利要求1所述的制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法，其特征在于，所述生长非极性GaN薄膜和非极性GaN基稀磁半导体材料时，采用的金属有机源为金属有机铁源、金属有机铬源、金属有机锰源，或者金属有机铁源、金属有机铬源和金属有机锰源中一种或多种的共掺。
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