[发明专利]发光二极管晶粒及其制作方法有效
| 申请号： | 201010200750.5 | 申请日： | 2010-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN102280552A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 赖志成 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/40 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管晶粒，其包括一基板及设置在基板上的半导体发光结构。一透明导电层设置在半导体发光结构表面，一电极层设置透明导电层表面。所述发光二极管晶粒进一步包括一金属层及设置在金属层周围的一缓冲层，所述金属层和缓冲层设置在透明导电层与半导体发光结构之间。所述金属层与半导体发光结构之间形成肖特基接触，所述缓冲层与半导体发光结构之间形成欧姆接触。本发明通过在金属层与半导体发光结构之间形成肖特基接触，及在缓冲层与半导体发光结构之间形成欧姆接触，由于肖特基接触的接触电阻值较大，其将会使电流往发光二极管晶粒的边缘扩散，从而增加电流分布的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 晶粒 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管晶粒，其包括一基板及设置在基板上的半导体发光结构，一透明导电层设置在半导体发光结构表面，一电极层设置透明导电层表面，其特征在于，所述发光二极管晶粒进一步包括一金属层及设置在金属层周围的一缓冲层，所述金属层和缓冲层设置在透明导电层与半导体发光结构之间，所述金属层与半导体发光结构之间形成肖特基接触，所述缓冲层与半导体发光结构之间形成欧姆接触。
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