[发明专利]发光二极管晶粒及其制作方法

权利要求书

1.一种发光二极管晶粒，其包括一基板及设置在基板上的半导体发光结构，一透明导电层设置在半导体发光结构表面，一电极层设置透明导电层表面，其特征在于，所述发光二极管晶粒进一步包括一金属层及设置在金属层周围的一缓冲层，所述金属层和缓冲层设置在透明导电层与半导体发光结构之间，所述金属层与半导体发光结构之间形成肖特基接触，所述缓冲层与半导体发光结构之间形成欧姆接触。

2.如权利要求1所述的发光二极管晶粒，其特征在于，所述金属层的制作材料选自铝、铜、锡、锌和镍其中之一或者它们之间的化合物。

3.如权利要求1所述的发光二极管晶粒，其特征在于，所述金属层设置在电极层的正下方，且金属层的面积大于或等于电极层的面积。

4.如权利要求1所述的发光二极管晶粒，其特征在于，所述金属层的厚度为0.1μm至0.3μm之间。

5.如权利要求1所述的发光二极管晶粒，其特征在于，所述缓冲层为钛金属薄膜。

6.如权利要求1所述的发光二极管晶粒，其特征在于，所述透明导电层为氧化铟锡薄膜、氧化锌锡薄膜或氧化锌薄膜。

7.如权利要求1所述的发光二极管晶粒，其特征在于，所述半导体发光结构包括一反射层，该反射层设置在半导体发光结构与基板相邻的表面。

8.一种发光二极管晶粒的制作方法，其包括以下步骤：

在基底上形成半导体发光结构；

在半导体发光结构表面形成金属层及缓冲层，其中，缓冲层形成于金属层的周围，所述金属层与半导体发光结构之间形成肖特基接触，所述缓冲层与半导体发光结构之间形成欧姆接触；

在金属层及缓冲层的表面形成透明导电层；

在透明导电层表面形成电极层。

9.如权利要求8所述的发光二极管晶粒的制作方法，其特征在于，所述半导体发光结构包括一反射层，所述反射层设置在半导体发光结构与基板相邻的表面。

10.如权利要求8所述的发光二极管晶粒的制作方法，其特征在于，所述金属层形成于半导体发光结构表面的中心位置。