[发明专利]一维纳米材料表面镀氮化硼膜的方法有效
| 申请号： | 201010200513.9 | 申请日： | 2010-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN101928915A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | 温广武;钟博;张亦放;黄小萧;张晓东 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 韩末洙 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一维纳米材料表面镀氮化硼膜的方法，它涉及一种在纳米材料表面镀氮化硼膜的方法。本发明解决了由于一维纳米材料间的接触，导致一维纳米材料易被氧化、寿命短、稳定性差的问题。本方法如下：将氨硼烷加入到石墨坩埚或氧化铝坩埚中，将待包覆的一维纳米材料固定于坩埚内部，再将坩埚置于气压炉中，然后在700℃～1600℃的条件下保温0.5h～4h，然后冷却至室温，即得表面镀氮化硼膜的一维纳米材料。本发明在一维纳米材料表面镀上了厚度为3nm～50nm的氮化硼膜，防止一维纳米材料间互相接触，从而避免了一维纳米材料在使用的过程中被氧化、寿命短、稳定性差的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 材料 表面 氮化 方法 | ||
【主权项】：
一维纳米材料表面镀氮化硼膜的方法，其特征在于一维纳米材料表面镀氮化硼膜的方法如下：一、将氨硼烷加入到石墨坩埚或氧化铝坩埚中，将待包覆的一维纳米材料固定于坩埚内部，再将坩埚置于炉内压强为0.1Pa～1Pa的气压炉中，一维纳米材料与氨硼烷的质量比为1﹕0.1～10；二、向气压炉内充入高纯氮气，至气压炉炉内压强为0.1MPa～2.5MPa；三、将气压炉炉内的温度以5℃/min～30℃/min的升温速度升至700℃～1600℃，再在700℃～1600℃的条件下保温0.5h～4h，然后冷却至室温，即得表面镀氮化硼膜的一维纳米材料。
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