[发明专利]一维纳米材料表面镀氮化硼膜的方法

权利要求书

1.一维纳米材料表面镀氮化硼膜的方法，其特征在于一维纳米材料表面镀氮化硼膜的方法如下：一、将氨硼烷加入到石墨坩埚或氧化铝坩埚中，将待包覆的一维纳米材料固定于坩埚内部，再将坩埚置于炉内压强为0.1Pa～1Pa的气压炉中，一维纳米材料与氨硼烷的质量比为1﹕0.1～10；二、向气压炉内充入高纯氮气，至气压炉炉内压强为0.1MPa～2.5MPa；三、将气压炉炉内的温度以5℃/min～30℃/min的升温速度升至700℃～1600℃，再在700℃～1600℃的条件下保温0.5h～4h，然后冷却至室温，即得表面镀氮化硼膜的一维纳米材料。

2.根据权利要求1所述的一维纳米材料表面镀氮化硼膜的方法，其特征在于步骤一中所述的一维纳米材料是Si₃N₄纳米带。

3.根据权利要求1所述的一维纳米材料表面镀氮化硼膜的方法，其特征在于步骤一中所述的一维纳米材料是Sialon纳米带。

4.根据权利要求1所述的一维纳米材料表面镀氮化硼膜的方法，其特征在于步骤一中所述的一维纳米材料是碳纤维。

5.根据权利要求1所述的一维纳米材料表面镀氮化硼膜的方法，其特征在于步骤一中所述的一维纳米材料是SiC纳米线。

6.根据权利要求1、2、3、4或5所述的一维纳米材料表面镀氮化硼膜的方法，其特征在于步骤二中气压炉炉内压强为1MPa～2MPa。

7.根据权利要求1、2、3、4或5所述的一维纳米材料表面镀氮化硼膜的方法，其特征在于步骤二中气压炉炉内压强为1.5MPa。

8.根据权利要求6所述的一维纳米材料表面镀氮化硼膜的方法，其特征在于步骤三中以8℃/min～28℃/min的升温速度升至750℃～1500℃，再在750℃～1500℃的条件下保温0.8h～3.5h。

9.根据权利要求6所述的一维纳米材料表面镀氮化硼膜的方法，其特征在于步骤三中以10℃/min～25℃/min的升温速度升至800℃～1200℃，再在800℃～1200℃的条件下保温1h～3h。

10.根据权利要求6所述的一维纳米材料表面镀氮化硼膜的方法，其特征在于步骤三中以20℃/min的升温速度升至1000℃，再在1000℃的条件下保温2h。