[发明专利]表面等离子体激元产生装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201010198689.5 | 申请日： | 2010-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN101924322A | 公开（公告）日： | 2010-12-22 |
| 发明（设计）人： | 大野智辉 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01S4/00 | 分类号： | H01S4/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了表面等离子体激元产生装置及其制造方法。表面等离子体激元产生装置包括：有源层，包括形成在一侧的n型区域和形成在另一侧的p型区域，n型区域和p型区域彼此接触以在其间形成pn结；第一阻挡层，与有源层的第一表面接触；第二阻挡层，与有源层的第二表面接触，第二表面与第一表面相反；以及金属体，设置在有源层的pn结的上方，在金属体和有源层之间具有第二阻挡层和绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 等离子体 产生 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种表面等离子体激元产生装置，包括：有源层，包括形成在一侧的n型区域和形成在另一侧的p型区域，所述n型区域和所述p型区域彼此接触以在其间形成pn结；第一阻挡层，与所述有源层的第一表面接触；第二阻挡层，与所述有源层的第二表面接触，所述第二表面与所述第一表面相反；以及金属体，设置在所述有源层的所述pn结的上方，在所述金属体和所述有源层之间具有所述第二阻挡层和绝缘层。
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