[发明专利]表面等离子体激元产生装置及其制造方法

权利要求书

1.一种表面等离子体激元产生装置，包括：

有源层，包括形成在一侧的n型区域和形成在另一侧的p型区域，所述n型区域和所述p型区域彼此接触以在其间形成pn结；

第一阻挡层，与所述有源层的第一表面接触；

第二阻挡层，与所述有源层的第二表面接触，所述第二表面与所述第一表面相反；以及

金属体，设置在所述有源层的所述pn结的上方，在所述金属体和所述有源层之间具有所述第二阻挡层和绝缘层。

2.根据权利要求1所述的表面等离子体激元产生装置，其中所述第一阻挡层由带隙能大于所述有源层的带隙能的半导体构成。

3.根据权利要求1所述的表面等离子体激元产生装置，其中所述第二阻挡层由带隙能大于所述有源层的带隙能的半导体构成。

4.根据权利要求1所述的表面等离子体激元产生装置，其中夹设所述有源层的所述p型区域的部分所述第一阻挡层和部分所述第二阻挡层形成为p型，并且

夹设所述有源层的所述n型区域的部分所述第一阻挡层和部分所述第二阻挡层形成为n型。

5.根据权利要求1所述的表面等离子体激元产生装置，其中包括所述第一阻挡层、所述有源层和所述第二阻挡层的多层结构形成为具有脊形状的脊，并且

所述有源层的所述pn结形成在所述脊内。

6.一种表面等离子体激元产生装置的制造方法，包括如下步骤：

在第一导电类型的半导体基板上依次层叠第一导电类型的第一阻挡层、第一导电类型的有源层和第一导电类型的第二阻挡层；

在包括所述第二阻挡层、所述有源层和所述第一阻挡层的第一导电类型的多层结构中形成与所述第一导电类型相反的第二导电类型的区域；

通过将所述多层结构图案化为脊形状而形成脊，使得所述多层结构的所述第一导电类型的区域和所述第二导电类型的区域之间的pn结包含在所述脊中；

形成覆盖所述脊的绝缘膜；以及

形成延伸跨过所述pn结的金属体，所述金属体形成在所述脊中的所述pn结上方的所述绝缘膜上。