[发明专利]一种光调制器PN结的制作方法有效
| 申请号： | 201010198509.3 | 申请日： | 2010-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN101907785A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 李乐 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/017 | 分类号： | G02F1/017 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种光调制器PN结的制作方法，该方法包括如下步骤：提供一衬底；对所述衬底进行曝光和刻蚀，形成目标光波导和调制器图形；对所述经过刻蚀的衬底进行轻掺杂N-离子注入；利用第二掩模版对所述经过轻掺杂N-离子注入后的衬底进行轻掺杂P-离子注入。由于在制作过程中只需使用一个掩模版，因而节约了用于光调制器中PN结的制作成本，并且避免了两层掩模版存在的曝光时的对准误差。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 调制器 pn 制作方法 | ||
【主权项】：
一种光调制器PN结的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一衬底；对所述衬底进行曝光和刻蚀，形成目标光波导和调制器图形；对所述经过刻蚀的衬底进行轻掺杂N 离子注入；以及利用第二掩模版对所述经过轻掺杂N 离子注入后的衬底进行P 离子注入。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司，未经上海宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010198509.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
