[发明专利]一种光调制器PN结的制作方法有效
| 申请号： | 201010198509.3 | 申请日： | 2010-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN101907785A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 李乐 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/017 | 分类号： | G02F1/017 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 调制器 pn 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种光调制器PN结的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供一衬底；
对所述衬底进行曝光和刻蚀，形成目标光波导和调制器图形；
对所述经过刻蚀的衬底进行轻掺杂N-离子注入；以及
利用第二掩模版对所述经过轻掺杂N-离子注入后的衬底进行P-离子注入。
2.如权利要求1所述的光调制器PN结的制作方法，其特征在于，所述衬底为SOI衬底硅片。
3.如权利要求2所述的光调制器PN结的制作方法，其特征在于，所述SOI衬底硅片包括硅衬底、位于所述硅衬底上的氧化埋层以及位于所述氧化埋层上的硅膜。
4.如权利要求3所述的光调制器PN结的制作方法，其特征在于，所述氧化埋层为二氧化硅。
5.如权利要求1所述的光调制器PN结的制作方法，其特征在于，所述轻掺杂N-离子注入中的N-离子的浓度为1012/cm2～1013/cm2。
6.如权利要求5所述的光调制器PN结的制作方法，其特征在于，所述轻掺杂P-离子注入中的P-离子的浓度约为所述N-离子的浓度的一到十倍。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司，未经上海宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010198509.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
