[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

本发明名称为半导体器件的制造方法，提供一种具有所希望的形状的半导体区域的制造方法。另外，本发明提供一种不均匀少的半导体器件的制造方法。此外，本发明还提供一种通过使用少量原料可以减少成本，且能够制造高成品率的半导体器件的方法。本发明中，对半导体膜的一部分进行氧化来形成氧化物层，接着用该氧化物层作为掩模蚀刻半导体膜，以形成具有所希望的形状的半导体区域，从而制造使用该半导体区域的半导体器件。在本发明中，不用众所周知的使用抗蚀剂的光刻步骤就能在预定区域中形成具有所希望的形状的半导体区域。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：通过使用第一衬底而准备具有透光部分和遮光部分的第一掩模；在第二衬底上形成半导体膜；加热所述半导体膜以减小半导体膜中的氢浓度；去除形成于所述半导体膜上的第一氧化物层；通过所述第一掩膜用激光照射所述半导体膜以在对应于所述透光部分的所述半导体膜的一部分之上形成第二氧化物层；以及通过将所述第二氧化物层用作第二掩模进行蚀刻来对所述半导体膜进行图案化，其中，所述第二氧化物层的厚度比所述第一氧化物层的厚度厚两倍或更多。