[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201010197468.6 | 申请日： | 2005-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN101866830A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 中村理;佐藤淳子 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/268;H01L21/336;H01L21/84 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 汤春龙;徐予红 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：
通过使用第一衬底而准备具有透光部分和遮光部分的第一掩模；
在第二衬底上形成半导体膜；
加热所述半导体膜以减小半导体膜中的氢浓度；
去除形成于所述半导体膜上的第一氧化物层；
通过所述第一掩膜用激光照射所述半导体膜以在对应于所述透光部分的所述半导体膜的一部分之上形成第二氧化物层；以及
通过将所述第二氧化物层用作第二掩模进行蚀刻来对所述半导体膜进行图案化，
其中，所述第二氧化物层的厚度比所述第一氧化物层的厚度厚两倍或更多。
2.根据权利要求1的半导体器件的制造方法，其中在激光所照射的表面上的射束点具有线状或矩形形状。
3.根据权利要求1的半导体器件的制造方法，其中所述激光是连续振荡激光。
4.根据权利要求1的半导体器件的制造方法，其中所述激光是脉冲振荡激光。
5.根据权利要求1的半导体器件的制造方法，其中所述被图案化的半导体膜是非晶体。
6.根据权利要求1的半导体器件的制造方法，其中所述被图案化的半导体膜是晶体。
7.根据权利要求1的半导体器件的制造方法，其中蚀刻所述半导体膜的一部分的方法是湿式蚀刻方法。
8.根据权利要求1的半导体器件的制造方法，其中蚀刻所述半导体膜的一部分的方法是干式蚀刻方法。
9.根据权利要求1的半导体器件的制造方法，其中所述半导体膜被蚀刻从而形成薄膜晶体管的激活层。
10.根据权利要求1的半导体器件的制造方法，其中所述第一衬底是从由玻璃衬底、石英衬底、蓝宝石衬底和由树脂形成的衬底的组中选择的。
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- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
