[发明专利]半导体器件和移除半导体器件噪声的方法无效

专利信息
申请号: 201010194985.8 申请日: 2010-05-31
公开(公告)号: CN101938266A 公开(公告)日: 2011-01-05
发明(设计)人: 胁田里加 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H03K5/1252 分类号: H03K5/1252
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 孙志湧;穆德骏
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及半导体器件和移除半导体器件噪声的方法。半导体器件包括:噪声检测电路;输入信号延迟电路;以及遮蔽电路。噪声检测电路检测叠加在输入信号上的噪声并且在预定时间段期间输出遮蔽信号。输入信号延迟电路延迟输入信号并且输出其延迟信号。遮蔽电路输出其中基于遮蔽信号遮蔽延迟信号的输出信号。
搜索关键词: 半导体器件 噪声 方法
【主权项】:
一种半导体器件,包括:噪声检测电路,所述噪声检测电路被构造为检测叠加在输入信号上的噪声并且在预定时间段期间输出遮蔽信号;输入信号延迟电路,所述输入信号延迟电路被构造为延迟所述输入信号并且输出其延迟信号;以及遮蔽电路,所述遮蔽电路被构造为输出其中基于所述遮蔽信号遮蔽所述延迟信号的输出信号。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞萨电子株式会社,未经瑞萨电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010194985.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top