[发明专利]发光装置及电子设备无效
| 申请号: | 201010194687.9 | 申请日: | 2006-11-28 |
| 公开(公告)号: | CN101872782A | 公开(公告)日: | 2010-10-27 |
| 发明(设计)人: | 洼田岳彦;神田荣二;野泽陵一 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 汪惠民 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 一种发光装置,在基板(10)的面上形成有驱动晶体管(Tdr)和电容元件(C1)。驱动晶体管(Tdr)控制向发光元件(E)供给的电流量。电容元件(C1)与驱动晶体管(Tdr)的栅电极电连接,设定、保持栅极电位(Vg)。在覆盖驱动晶体管(Tdr)和电容元件(C1)的第一绝缘层(L1)的面上,形成有经由接触孔(Ha3)与驱动晶体管(Tdr)导通的元件导通部(71)。元件导通部(71)与发光元件E的第一电极(21)连接。从垂直于基板(10)的方向观察,元件导通部(71)隔着驱动晶体管(Tdr)配置在与电容元件(C1)相反的一侧的区域。由此,可抑制对发光元件的发光造成影响的寄生电容的产生。 | ||
| 搜索关键词: | 发光 装置 电子设备 | ||
【主权项】:
一种发光装置,在基板上具备:连接在发光元件与电源线之间的第一晶体管、与所述第一晶体管的栅电极电连接的电容元件、和将所述第一晶体管与所述发光元件电连接的元件导通部,所述电源线沿第一方向延伸,在与所述第一方向交叉的方向上,俯视下所述第一晶体管的栅电极位于所述元件导通部与所述电容元件之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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