[发明专利]发光装置及电子设备

说明书

本发明是申请日为2006年11月28日、申请号为200610160486.0、发明名称为“发光装置及电子设备”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种利用了有机EL(ElectroLuminescent)材料等的发光材料的发光装置的构造。

背景技术

以往，提出了一种将根据栅极电位控制向发光元件供给的电流量的晶体管(下面称作“驱动晶体管”)按每个发光元件而配置的有源矩阵方式的发光装置(例如，专利文献1)。驱动晶体管的栅电极连接有用于设定、保持其电位的电容元件。驱动晶体管经由图案形成为规定形状的源极金属而与发光元件电连接。

为了对应于发光元件的高精细化和发光装置的小型化，需要通过靠近配置与发光元件相关的各要素来缩小各发光元件的面积。但是，会在相互接近的要素之间产生寄生电容。例如，由于以上构成中的源极金属和电容元件的各电极经由绝缘层而靠近配置在相互重叠的位置，所以，容易在两者之间产生寄生电容。而且，因寄生于各要素的电容，会导致阻碍发光元件的举动(发光的时间长与光量)的高精度控制的问题。以上述情况为背景，本发明的目的在于抑制对发光元件的发光造成影响的寄生电容。

专利文献1：特开2004-119219号公报

发明内容

本发明一个方式的发光装置，在基板上具备：连接在发光元件与电源线之间的第一晶体管、与所述第一晶体管的栅电极电连接的电容元件、和将所述第一晶体管与所述发光元件电连接的元件导通部，所述电源线沿第一方向延伸，在与所述第一方向交叉的方向上，俯视下所述第一晶体管的栅电极位于所述元件导通部与所述电容元件之间。

本发明一个方式的发光装置，在基板上具备：连接在发光元件与电源线之间的第一晶体管、与所述第一晶体管的栅电极电连接的电容元件、和将所述第一晶体管与所述发光元件电连接的元件导通部，所述电源线沿第一方向延伸，在与所述第一方向交叉的方向上，所述元件导通部相对于所述第一晶体管的栅电极位于一侧，所述电容元件相对于所述第一晶体管的栅电极位于另一侧。

本发明一个方式的发光装置，在基板上具备：连接在发光元件与电源线之间的第一晶体管、与所述第一晶体管的栅电极电连接的电容元件、和将所述第一晶体管与所述发光元件电连接的元件导通部，所述电源线沿第一方向延伸，在所述第一方向上，俯视下所述第一晶体管的栅电极位于所述元件导通部与所述电容元件之间。

本发明一个方式的发光装置，在基板上具备：连接在发光元件与电源线之间的第一晶体管、与所述第一晶体管的栅电极电连接的电容元件、和将所述第一晶体管与所述发光元件电连接的元件导通部，所述电源线沿第一方向延伸，在所述第一方向上，所述元件导通部相对于所述第一晶体管的栅电极位于一侧，所述电容元件相对于所述第一晶体管的栅电极位于另一侧。

本发明一个方式的发光装置，在基板上配置有：控制供给到发光元件的电流量的驱动晶体管、与驱动晶体管的栅电极电连接的电容元件(例如图2的电容元件C1和图25及图26的电容元件C2)、和将驱动晶体管与发光元件电连接的元件导通部(例如各实施方式中的元件导通部71、72及73)，元件导通部，隔着驱动晶体管配置在与电容元件相反的一侧的区域。本方式的具体例作为第一实施方式～第三实施方式将在后面叙述。

根据该构成，由于元件导通部隔着驱动晶体管配置在与电容元件相反的一侧，所以，与从垂直于基板的方向观察，在元件导通部配置在驱动晶体管和电容元件的间隙的构成相比，寄生于电容元件和元件导通部的电容被降低。因此，可以降低电容元件及元件导通部的一方的电位变动对另一方电位的影响。

另外，电容元件典型用于设定或保持驱动晶体管的栅电极的电位。例如，一个方式中的电容元件(例如图2的电容元件C 1)介于驱动晶体管的栅电极与数据线之间。在该构成中，通过电容元件的电容耦合，驱动晶体管的栅电极被设定在数据线的电位变动量所对应的电位。而且，其他方式中的电容元件(例如图25和图26的电容元件C2)介于驱动晶体管的栅电极与被供给恒定电位的布线(例如电源线)之间。在该构成中，从数据线供给到驱动晶体管的栅电极的电位保持于电容元件。