[发明专利]一种测量薄膜体声波谐振器本征Q值的方法无效
| 申请号： | 201010194042.5 | 申请日： | 2010-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN101865955A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 董树荣;吴梦军;张慧金;程维维;韩雁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | G01R27/26 | 分类号： | G01R27/26;G01R23/02;G01R27/28 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种测量薄膜体声波谐振器本征Q值的方法，包括以下步骤：(1)基于PMBVD模型将由薄膜体声波谐振器及其寄生电路构成的整体电路拆分成三个级联的二端口网络；(2)读取若干工作频率下整体电路的S参数并转换成对应的T参数，利用公式T2＝TT1-1T3-1计算得到相应工作频率下第二二端口网络的S参数S，确定S中S11和S12所有工作频率下的最小值以及相对应的工作频率wS和wP，(3)利用式(1)求得本征Q值；与现有其他方法相比，本发明的薄膜体声波谐振器本征Q值测量方法能将FBAR制造过程所引入的寄生参数的影响消除，得到精确的FBAR本征Q值以及准确的本征谐振频率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 测量 薄膜 声波 谐振器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种测量薄膜体声波谐振器本征Q值的方法，包括以下步骤：(1)基于PMBVD模型将由薄膜体声波谐振器及其寄生电路构成的整体电路拆分成三个级联的二端口网络；(2)读取若干个工作频率下整体电路的S参数并转换成对应的T参数，利用公式T2＝TT1-1T3-1计算得到相应工作频率下第二二端口网络的T参数，转换成S参数S，![]()
S11、S12、S21、S22为S矩阵中的四个数值，确定所有工作频率下S11和S12的最小值以及相对应的工作频率wS和wP；T1表示第一二端口网络的T参数，T2表示第二二端口网络的T参数，T3表示第三二端口网络的T参数，T表示整体电路的T参数；(3)利用式(1)求得本征Q值；Q S = ( w S w P ) 1 - ( w S w P ) 2 ( 1 - | S 21 min | ) | S 21 min | ( 1 - | S 11 min | ) | S 11 min | - - - ( 1 )
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