[发明专利]一种测量薄膜体声波谐振器本征Q值的方法

权利要求书

1.一种测量薄膜体声波谐振器本征Q值的方法，包括以下步骤：

(1)基于PMBVD模型将由薄膜体声波谐振器及其寄生电路构成的整体电路拆分成三个级联的二端口网络；

(2)读取若干个工作频率下整体电路的S参数并转换成对应的T参数，利用公式T₂＝TT₁^-1T₃^-1计算得到相应工作频率下第二二端口网络的T参数，转换成S参数S，S₁₁、S₁₂、S₂₁、S₂₂为S矩阵中的四个数值，确定所有工作频率下S₁₁和S₁₂的最小值以及相对应的工作频率w_S和w_P；T₁表示第一二端口网络的T参数，T₂表示第二二端口网络的T参数，T₃表示第三二端口网络的T参数，T表示整体电路的T参数；

(3)利用式(1)求得本征Q值；

QS=(wSwP)1-(wSwP)2(1-|S21min|)|S21min|(1-|S11min|)|S11min|---(1)]]>

QS表示薄膜体声波谐振器的本征Q值，S_11min和S_21min分别表示S₁₁和S₂₁的最小值。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(2)工作频率的选取方法为：

测量整体电路的串联谐振频率和并联谐振频率，选取整体电路的串联谐振频率和并联谐振频率周围±0.01～0.1GHz区间内的频率作为工作频率，间隔1MHz。