[发明专利]硅基电容麦克风及硅基电容麦克风的制作方法无效
| 申请号： | 201010193771.9 | 申请日： | 2010-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN101848411A | 公开（公告）日： | 2010-09-29 |
| 发明（设计）人： | 孟珍奎;葛舟;李海锋 | 申请（专利权）人： | 瑞声声学科技(深圳)有限公司;瑞声微电子科技(常州)有限公司 |
| 主分类号： | H04R31/00 | 分类号： | H04R31/00;H04R19/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518057 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅基电容麦克风的制作方法，该方法包括如下步骤：步骤A：提供一个硅基底，硅基底上沉积刻蚀阻挡层；步骤B：在刻蚀阻挡层上沉积应力平衡层；步骤C：在应力平衡层上沉积振膜；步骤D：在硅基底上沉积牺牲层，并刻出潜影；步骤E：沉积背板；步骤F：对背板掺杂，使之变成导体；步骤G：刻蚀背板；步骤H：沉积电极，做欧姆接触。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 麦克风 制作方法 | ||
【主权项】：
一种硅基电容麦克风的制作方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：步骤A：提供一个硅基底，硅基底上沉积刻蚀阻挡层；步骤B：在刻蚀阻挡层上沉积应力平衡层；步骤C：在应力平衡层上沉积振膜；步骤D：在硅基底上沉积牺牲层，并刻出潜影；步骤E：沉积背板；步骤F：对背板掺杂，使之变成导体；步骤G：刻蚀背板；步骤H：沉积电极，做欧姆接触。
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