[发明专利]硅基电容麦克风及硅基电容麦克风的制作方法无效

专利信息
申请号: 201010193771.9 申请日: 2010-06-07
公开(公告)号: CN101848411A 公开(公告)日: 2010-09-29
发明(设计)人: 孟珍奎;葛舟;李海锋 申请(专利权)人: 瑞声声学科技(深圳)有限公司;瑞声微电子科技(常州)有限公司
主分类号: H04R31/00 分类号: H04R31/00;H04R19/04
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518057 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 电容 麦克风 制作方法
【权利要求书】:

1.一种硅基电容麦克风的制作方法,其特征在于,该方法包括如下步骤:

步骤A:提供一个硅基底,硅基底上沉积刻蚀阻挡层;

步骤B:在刻蚀阻挡层上沉积应力平衡层;

步骤C:在应力平衡层上沉积振膜;

步骤D:在硅基底上沉积牺牲层,并刻出潜影;

步骤E:沉积背板;

步骤F:对背板掺杂,使之变成导体;

步骤G:刻蚀背板;

步骤H:沉积电极,做欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的硅基电容麦克风的制作方法,其特征在于:步骤F中,掺杂之前,所述背板为多晶硅背板。

3.根据权利要求1所述的硅基电容麦克风的制作方法,其特征在于:所述步骤E中,背板与基底相连的外周设有若干缺口。

4.一种硅基电容麦克风,包括基底、与基底相连的背板、与背板相对且设置在背板与基底之间的振膜,其特征在于:所述背板设有与基底相连的下底面、平行于下底面的上底面以及连接上底面和下底面的侧面,在下底面上设有若干缺口,所述缺口自下底面沿侧面向上底面延伸。

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