[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法

摘要

一种薄膜晶体管阵列基板包括基底、栅极层、栅极绝缘层、源极/漏极层、图案化保护层、氧化物半导体层、树脂层及像素电极。栅极层设置于基底上。栅极绝缘层设置于栅极层与基底上。源极/漏极层设置于栅极绝缘层上。图案化保护层设置于源极/漏极层上且暴露出部分源极/漏极层。氧化物半导体层设置于图案化保护层上，且电连接于源极/漏极层。树脂层设置于氧化物半导体层上且覆盖氧化物半导体层。像素电极设置于树脂层上且连接至源极/漏极层。本发明还提供一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法。上述薄膜晶体管阵列基板可避免漏电流的产生。

主权项

一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于包括：一个基底；一层栅极层，设置于该基底上；一层栅极绝缘层，设置于该栅极层与该基底上；一层源极/漏极层，设置于该栅极绝缘层上；一层图案化保护层，设置于该源极/漏极层上且暴露出部分该源极/漏极层；一层氧化物半导体层，设置于该图案化保护层上，且电连接于该源极/漏极层；一层树脂层，设置于该氧化物半导体层上且覆盖该氧化物半导体层且暴露出部分该源极/漏极层；以及一个像素电极，设置于该树脂层上且连接至该源极/漏极层。