[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种晶体管阵列基板，且特别涉及一种薄膜晶体管阵列基板及薄膜晶体管阵列基板的制造方法。

背景技术

薄膜晶体管阵列基板在显示装置中的应用日渐广泛，例如其可应用于液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)、电泳显示装置(Electro-Phoretic Display，EPD)与有机发光二极管显示装置(OrganicLight Emitting Diode Display，OLED)。

以在液晶显示器中的使用为例，一种现有的薄膜晶体管阵列基板包括基底、形成于基底上的金属栅极层、形成于金属栅极层上的栅极绝缘层、形成于栅极绝缘层上的源极/漏极层、形成于源极/漏极层上的非晶相铟镓锌氧化物(a-IGZO)层、形成于a-IGZO层上的保护层以及形成于保护层上的像素电极。

然而，在上述薄膜晶体管阵列基板中，保护层是直接形成于a-IGZO层上，由于保护层的材质通常为二氧化硅，其具有容易产生漏电流的问题，因此会影响薄膜晶体管阵列基板的使用。

因此，如何避免漏电流的产生，以提升薄膜晶体管阵列基板的使用性能实为相关领域的人员所重视的议题之一。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板，其可避免漏电流的产生。

本发明还提供一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其制备的薄膜晶体管阵列基板可避免漏电流的产生。

本发明提出一种薄膜晶体管阵列基板，其包括基底、栅极层、栅极绝缘层、源极/漏极层、图案化保护层、氧化物半导体层、树脂层及像素电极；栅极层设置于基底上；栅极绝缘层设置于栅极层与基底上；源极/漏极层设置于栅极绝缘层上；图案化保护层设置于源极/漏极层上且暴露出部分源极/漏极层；氧化物半导体层设置于图案化保护层上，且电连接于源极/漏极层；树脂层设置于氧化物半导体层上且覆盖氧化物半导体层，且暴露出部分该源极/漏极层；像素电极设置于树脂层上且连接至源极/漏极层。

本发明还提出一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其首先形成栅极层于基底上；接着，形成栅极绝缘层于栅极层与基底上；接着，形成源极/漏极层于栅极绝缘层上；接着，形成图案化保护层于源极/漏极层上，且暴露出部分源极/漏极层；接着，形成氧化物半导体层于图案化保护层上，且电连接于源极/漏极层；接着，形成树脂层于氧化物半导体层上且覆盖氧化物半导体层，且暴露出部分该源极/漏极层；然后，形成像素电极于树脂层上且连接至源极/漏极层。

本发明的薄膜晶体管阵列基板的图案化保护层设置于源极/漏极层上，而氧化物半导体层设置于图案化保护层上，这可减少甚至避免漏电流的产生，从而可提高薄膜晶体管阵列基板的使用性能。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。

附图说明

图1A为本发明实施例的薄膜晶体管阵列基板的剖面图。

图1B为本发明另一实施例的薄膜晶体管阵列基板的剖面图。

图2A-2F为图1A所示的薄膜晶体管阵列基板的工艺剖面示意图。

100、200：薄膜晶体管阵列基板    10：基底

11：栅极层                      12：栅极绝缘层

13：源极/漏极层                 14、24：图案化保护层

15：氧化物半导体层              16、26：树脂层

17、27：像素电极                18、28：薄膜晶体管

19：跳线部                      20：焊垫部

具体实施方式

为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。