[发明专利]一种平底结功率场效应晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 201010189788.7 | 申请日： | 2010-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN101924036A | 公开（公告）日： | 2010-12-22 |
| 发明（设计）人： | 鄢细根;马洁荪;江秉闰 | 申请（专利权）人： | 华越微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 312016 浙江省绍*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种新的VDMOS器件及其制造工艺，属半导体功率器件技术领域。本发明的创新之处在于其减小寄生NPN管的原理不同，通过浅结P+区挤压源扩散区来抑制寄生管，P阱底部为P-区形成的平底结构，因而在器件制造工艺及结构上不同于传统工艺和结构。本发明可以缩小VDMOS多晶栅之间的间隔尺寸，减小P阱结深，从而达到提高集成度、提高耐压和降低导通电阻的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平底 功率 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种平底结功率场效应晶体管制造方法，其特征在于P阱中P+区结深小于P 区结深，P阱底部是由P 区形成的平底结。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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