[发明专利]晶片承载装置无效
申请号: | 201010185071.5 | 申请日: | 2010-05-28 |
公开(公告)号: | CN102263051A | 公开(公告)日: | 2011-11-30 |
发明(设计)人: | 黄琮琳 | 申请(专利权)人: | 桦塑企业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人: | 张雅军;顾以中 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种晶片承载装置,包含一基座、一设置于该基座上的限位单元,及一形成于该限位单元上的结合单元。该限位单元包括多数间隔设置于该基座上表面上的挡壁,及多数对应所述挡壁而设置于该基座下表面上的卡合壁,该结合单元包括多数形成于每一挡壁上的第一接触面,及多数对应所述第一接触面而形成于每一卡合壁上的第二接触面。利用相配合的第一、二接触面,以产生导引作用使二晶片承载装置在相互叠合时更为迅速,还可以利用所述第一、二接触面有效分散外力,使相互叠合的晶片承载装置不会产生转动或错动,提高所承载对象的稳定度。 | ||
搜索关键词: | 晶片 承载 装置 | ||
【主权项】:
一种晶片承载装置,包含一个基座,及一个设置于该基座上的限位单元,该基座包括相反的一个上表面与一个下表面,及一个环绕所述上、下表面周缘的环绕面;该限位单元包括多数个间隔设置于该上表面上的挡壁,及多数个对应所述挡壁而设置于该下表面上的卡合壁,其特征在于:该晶片承载装置还包含一个形成于该限位单元上的结合单元,而每一个挡壁皆具有一个与该上表面相间隔的顶面、一个连接该顶面与该上表面的外壁面、一个与该外壁面相间隔且自该顶面朝该上表面方向延伸的导引面,及一个自该导引面朝该上表面方向延伸并连接于该上表面的抵靠面,每一个卡合壁皆具有一个与该下表面相间隔的底面、一个连接该底面与该下表面的外周面、一个与该外周面相间隔且自该底面朝该下表面方向延伸的第一导斜面,及一个自该第一导斜面朝该下表面方向延伸并连接于该下表面上的第二导斜面,该结合单元包括多数个形成于每一个挡壁上的第一接触面,及多数个对应所述第一接触面而分别形成于每一个卡合壁上的第二接触面,该第一接触面的周缘是分别与该顶面、外壁面、上表面、导引面、抵靠面相连接,而该第二接触面的周缘是分别与该底面、外周面、下表面、该第一导斜面及该第二导斜面相连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造