[发明专利]晶片承载装置无效
申请号: | 201010185071.5 | 申请日: | 2010-05-28 |
公开(公告)号: | CN102263051A | 公开(公告)日: | 2011-11-30 |
发明(设计)人: | 黄琮琳 | 申请(专利权)人: | 桦塑企业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人: | 张雅军;顾以中 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 承载 装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种承载装置,特别是涉及一种晶片承载装置。
背景技术
参阅图1、2,现有晶片承载装置包括一基座11、多数间隔设置于该基座11的上表面111上的第一挡壁12、多数对应所述第一挡壁12而间隔设置于该基座11的下表面112上的第二挡壁13,及一形成于该上表面111的凹槽14。
参阅图2、3,所述第一挡壁12环绕界定出一用以载放一球格阵列封装元件(Ball Grid Array,BGA)100的容置空间15。该球格阵列封装元件100具有一本体101,及多数凸设于该本体101底面的接脚102。
使用时,是将该球格阵列封装元件100置于一晶片承载装置的容置空间15中,同时让该球格阵列封装元件100的所述接脚102容置于该凹槽14内,以避免所述接脚102与该上表面111发生碰撞而损坏。最后再以另一晶片承载装置叠于载放有该球格阵列封装元件100的晶片承载装置上,利用该二晶片承载装置相配合的第一、二挡壁12、13,如图2所示将该球格阵列封装元件100限制于该容置空间15中。
但是,由于考虑到该二晶片承载装置相互叠合时的方便性,所述第一、二挡壁12、13间皆形成有间距D,以利所述第一、二挡壁12、13的相互配合。
然而,所述第一、二挡壁12、13有可能因外力而以所述间距D发生位移,使得位于上方的晶片承载装置的第二挡壁13位移时,会推动该球格阵列封装元件100的本体101移动至图3中假想线所示位置,导致该球格阵列封装元件100的本体101损坏,或是所述接脚102断裂的情形。
因此,如何使所述第一、二挡壁12、13的相互配合更为简单,又可以避免该球格阵列封装元件100的损坏,成了相关业者所欲改善的目标。
发明内容
本发明的目的在于提供一种使用方便且稳定度高的晶片承载装置。
本发明晶片承载装置,包含一个基座、一个设置于该基座上的限位单元,及一个形成于该限位单元上的结合单元。
该基座包括相反的一个上表面与一个下表面,及一个环绕所述上、下表面周缘的环绕面;该限位单元包括多数个间隔设置于该上表面上的挡壁,及多数个对应所述挡壁而设置于该下表面上的卡合壁,每一个挡壁皆具有一个与该上表面相间隔的顶面、一个连接该顶面与该上表面的外壁面、一个与该外壁面相间隔且自该顶面朝该上表面方向延伸的导引面,及一个自该导引面朝该上表面方向延伸并连接于该上表面的抵靠面,每一卡合壁皆具有一与该下表面相间隔的底面、一连接该底面与该下表面的外周面、一与该外周面相间隔且自该底面朝该下表面方向延伸的第一导斜面,及一自该第一导斜面朝该下表面方向延伸并连接于该下表面上的第二导斜面。
该结合单元包括多数个形成于每一挡壁上的第一接触面,及多数个对应所述第一接触面而形成于每一卡合壁上的第二接触面,每一个第一接触面的周缘是分别与该顶面、外壁面、上表面、导引面、抵靠面相连接,而每一个第二接触面的周缘是分别与该底面、外周面、下表面、该第一导斜面及该第二导斜面相连接。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
较佳地,本发明晶片承载装置,其中该基座还包括一个形成于该上表面的容置空间,所述挡壁是位于该容置空间的周缘。
较佳地,本发明晶片承载装置,其中每一个挡壁的导引面与抵靠面皆与该上表面形成有一个夹角,且每一个导引面与该上表面间的夹角小于每一个抵靠面与该上表面间的夹角,而每一个卡合壁的第一导斜面、第二导斜面也皆与该下表面形成有一个夹角,且每一个第一导斜面与该下表面间的夹角小于每一个第二导斜面与该下表面间的夹角。
较佳地,本发明晶片承载装置,其中每一个挡壁与每一个卡合壁皆呈L形。
较佳地,本发明晶片承载装置,其中每一个挡壁与每一个卡合壁皆呈梯形。
较佳地,本发明晶片承载装置,其中每一个挡壁的导引面与抵靠面皆与该上表面形成有一个夹角,且每一个导引面与该上表面间的夹角大于每一个抵靠面与该上表面间的夹角,而每一个卡合壁的第一导斜面、第二导斜面也皆与该下表面形成有一个夹角,且每一个第一导斜面与该下表面间的夹角大于每一个第二导斜面与该下表面间的夹角。
较佳地,本发明晶片承载装置,其中该结合单元的第一接触面、第二接触面是呈阶梯状相互配合。
较佳地,本发明晶片承载装置,其中每一个挡壁的导引面与抵靠面皆垂直该上表面,而每一个卡合壁的第一导斜面、第二导斜面皆垂直该下表面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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