[发明专利]一种新型半导体发光二极管无效
| 申请号： | 201010183993.2 | 申请日： | 2010-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN101867002A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 廖翊韬;云峰 | 申请（专利权）人： | 常州美镓伟业光电科技有限公司;云峰 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 南京众联专利代理有限公司 32206 | 代理人： | 顾进 |
| 地址： | 213164 江苏省常*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体发光二极管，包括衬底、缓冲层、N型层、有源层、电子阻挡层、P型层，P型接触金属层，通过刻蚀穿透P型层、电子阻挡层、有源层等，将N型层材料直接暴露于P型材料一侧，并在暴露区域覆盖N型接触金属和电极，从而增强N型层中的横向电流扩散，同时P型金属覆盖整个P型半导体层，LED从衬底表面出光。通过上述改进：可大幅度缩短了电流在LED器件中的横向扩散距离，避免了电流拥塞引起的LED器件电流密度分布不均，使LED器件出光更加均匀，且根除了P型电极的遮光效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 半导体 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种新型半导体发光二极管，包括依次复合的衬底、缓冲层、N型层、有源层、电子阻挡层、P型层，P型接触金属层，其特征在于：在P型接触金属层表面，向衬底方法通过刻蚀等方法至少形成一个槽深至N型层的凹槽，所述凹槽的四周侧壁设有绝缘层，还设有一N型接触金属层，所述N型接触金属层通过绝缘层间隔复合在P型接触金属层表面，并随凹槽向N型层扩展延伸至两者直接接触连接。
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