[发明专利]一种新型半导体发光二极管

权利要求书

1.一种新型半导体发光二极管，包括依次复合的衬底、缓冲层、N型层、有源层、电子阻挡层、P型层，P型接触金属层，其特征在于：在P型接触金属层表面，向衬底方法通过刻蚀等方法至少形成一个槽深至N型层的凹槽，所述凹槽的四周侧壁设有绝缘层，还设有一N型接触金属层，所述N型接触金属层通过绝缘层间隔复合在P型接触金属层表面，并随凹槽向N型层扩展延伸至两者直接接触连接。

2.根据权利要求1所述的半导体发光二极管，其特征在于：还包括复合在衬底表面的荧光粉层。

3.根据权利要求1所述的半导体发光二极管，其特征在于：所述有源层至少包括一组由量子位障层和量子井层形成的组合。

4.根据权利要求3所述的半导体发光二极管，其特征在于：所述位障层和量子井层的单层厚度在1纳米到100纳米之间。

5.根据权利要求1所述的半导体发光二极管，其特征在于：所述N型层厚度在100纳米到100微米之间。

6.根据权利要求5所述的半导体发光二极管，其特征在于：所述N型层厚度在1微米到100微米之间。

7.根据权利要求1所述的半导体发光二极管，其特征在于：所述电子阻挡层厚度在1纳米到500纳米之间。

8.根据权利要求1所述的半导体发光二极管，其特征在于：所述P型层由氮化物系列化合物半导体制成，其厚度在10纳米至10微米之间。

9.根据权利要求1所述的半导体发光二极管，其特征在于：所述凹槽底面剖面宽度在10纳米到10,000纳米之间。

10.根据权利要求1所述的半导体发光二极管，其特征在于：在N型材料层和有源层之间复合空穴阻挡层。