[发明专利]集成薄膜太阳能电池及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201010183207.9 申请日: 2010-05-26
公开(公告)号: CN101901853A 公开(公告)日: 2010-12-01
发明(设计)人: 林宏树;全振完 申请(专利权)人: 韩国铁钢株式会社;韩国科学技术院
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/05;H01L31/0224
代理公司: 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 代理人: 葛强;邬玥
地址: 韩国庆*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明提供集成薄膜太阳能电池及其制造方法,该方法包括以下步骤:准备沟槽按照间隔有一定距离的方式形成的基板;通过第一导电性物质在各个所述沟槽的部分底面和一个侧面上形成第一电极层;在没有形成所述第一电极层的沟槽的部分区域和所述第一电极层上形成太阳能电池层;倾斜释放出第二导电性物质并将其沉积在所述太阳能电池层上以形成第二电极层;对形成在所述沟槽上的太阳能电池层进行蚀刻,以使所述第一电极层暴露;通过倾斜释放出第三导电性物质并将其沉积在所述第二电极层上的方式形成导电层,以使所述暴露的第一电极层和所述第二电极层电连接。
搜索关键词: 集成 薄膜 太阳能电池 及其 制造 方法
【主权项】:
一种集成薄膜太阳能电池的制造方法,该方法包括以下步骤:准备沟槽按照间隔有一定距离的方式形成的基板;利用第一导电性物质在各个所述沟槽的部分底面和一个侧面上形成第一电极层;在没有形成所述第一电极层的沟槽的部分区域和所述第一电极层上形成太阳能电池层;倾斜释放出第二导电性物质并将其沉积在所述太阳能电池层上以形成第二电极层;对形成在所述沟槽上的太阳能电池层进行蚀刻以使所述第一电极层暴露;通过倾斜释放出第三导电性物质并将其沉积在所述第二电极层上的方式形成导电层,以使所述暴露的第一电极层和所述第二电极层电连接。
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