[发明专利]集成薄膜太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种集成薄膜太阳能电池的制造方法，该方法包括以下步骤：

准备沟槽按照间隔有一定距离的方式形成的基板；

利用第一导电性物质在各个所述沟槽的部分底面和一个侧面上形成第一电极层；

在没有形成所述第一电极层的沟槽的部分区域和所述第一电极层上形成太阳能电池层；

倾斜释放出第二导电性物质并将其沉积在所述太阳能电池层上以形成第二电极层；

对形成在所述沟槽上的太阳能电池层进行蚀刻以使所述第一电极层暴露；

通过倾斜释放出第三导电性物质并将其沉积在所述第二电极层上的方式形成导电层，以使所述暴露的第一电极层和所述第二电极层电连接。

2.根据权利要求1所述的集成薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述第一电极层与形成在单元电池区内的其它电极层相连接。

3.根据权利要求2所述的集成薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述其它电极层通过印刷法形成。

4.根据权利要求2所述的集成薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述第一电极层的电阻小于所述其它电极层的电阻。

5.根据权利要求1所述的集成薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于：按照将所述第二电极层作为掩膜的方式对所述太阳能电池层进行蚀刻。

6.根据权利要求1所述的集成薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于：还包括蚀刻所述太阳能电池层后，在与所述沟槽相邻的其它沟槽内填埋绝缘物质的工序。

7.根据权利要求6所述的集成薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于：在所述太阳能电池层内部形成有中间层。

8.根据权利要求1所述的集成薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于：在所述沟槽中的至少一个沟槽内填埋有导电膏。

9.根据权利要求8所述的集成薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于：填埋有所述导电膏的沟槽之间的间隔小于太阳能电池区的沟槽之间的间隔。

10.根据权利要求1所述的集成薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述沟槽朝一个方向倾斜。

11.根据权利要求1所述的集成薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述基板是玻璃基板、聚合物基板或纳米复合体基板中的一种；

在熔融所述玻璃基板、所述聚合物基板或所述纳米复合体基板的状态下，在所述玻璃基板、所述聚合物基板或所述纳米复合体基板变硬之前通过压印加工形成所述沟槽。

12.根据权利要求1所述的集成薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述基板是玻璃基板、聚合物基板或纳米复合体基板中的一种；

通过热压印法在所述玻璃基板、聚合物基板或纳米复合体基板上形成所述沟槽。

13.根据权利要求1所述的集成薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述基板包括玻璃和被覆在所述玻璃上的、聚合物或纳米复合体材质的薄膜；通过热压印法在所述聚合物或所述纳米复合体材质的薄膜上形成沟槽。

14.根据权利要求1所述的集成薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述基板包括玻璃和被覆在所述玻璃上的、聚合物或纳米复合体材质的薄膜；在所述玻璃上被覆所述聚合物或所述纳米复合体材质的薄膜的过程中，利用压印法在所述聚合物或所述纳米复合体材质的薄膜上形成沟槽。

15.根据权利要求1所述的集成薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于：形成在一个单元电池区内的所述第一电极层与形成在与所述一个单元电池区相邻的其它单元电池区内的第二电极层通过所述导电层电连接。

16.根据权利要求1所述的集成薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于：在所述基板上形成有位于所述相邻沟槽之间的槽；当所述太阳能电池层被蚀刻时，形成在所述槽上的太阳能电池层被蚀刻。

17.根据权利要求16所述的集成薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述槽的宽度小于所述沟槽的宽度，所述槽的深度与所述沟槽的深度相同。

18.根据权利要求16所述的集成薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述槽的深度比所述沟槽的深度深，所述槽的宽度与所述沟槽的宽度相同。