[发明专利]缓冲层填埋断续生长尺寸高均匀单层Ge量子点的方法无效
| 申请号： | 201010181934.1 | 申请日： | 2010-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN101866832A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 杨宇;王茺;张学贵;熊飞;潘红星;杨杰 | 申请（专利权）人： | 云南大学 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203;C23C14/34 |
| 代理公司： | 昆明今威专利代理有限公司 53115 | 代理人： | 杨宏珍 |
| 地址： | 650091 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种缓冲层填埋断续生长尺寸高均匀单层Ge量子点的方法，属半导体量子材料制备技术领域。本发明的单层Ge量子点的方法采用离子束溅射技术，通过转动高纯Ge靶材和高纯Si靶材的位置，在预处理后的硅基底材料上断续生长厚度为20nm～60nm的Si缓冲层，再在Si缓冲层上断续自组织生长厚度为2.0nm～3.0nm的单层Ge量子点。本发明通过断续生长，有效解决了制备量子点材料存在量子点需要多层生长来调控量子点尺寸均匀性，以及量子点的结晶、可控性差、高宽比低、及Ge/Si互混严重不足，获得能用于制作量子点器件的量子点材料，且生产成本低，可控性好，易于产业化生产，是制备量子点的一种简易而高效的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 缓冲 层填埋 断续 生长 尺寸 均匀 单层 ge 量子 方法 | ||
【主权项】：
一种缓冲层填埋断续生长尺寸高均匀单层Ge量子点的方法，用离子束溅射技术，通过转动高纯Ge靶材和高纯Si靶材的位置，在预处理后的硅基底材料上溅射沉积Ge和Si薄膜；其特征在于本发明的单层Ge量子点的方法先在预处理后的硅基底材料上断续生长厚度为20nm～60nm的Si缓冲层，再在Si缓冲层上断续自组织生长厚度为2.0nm～3.0nm的单层Ge量子点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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