[发明专利]缓冲层填埋断续生长尺寸高均匀单层Ge量子点的方法无效
| 申请号： | 201010181934.1 | 申请日： | 2010-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN101866832A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 杨宇;王茺;张学贵;熊飞;潘红星;杨杰 | 申请（专利权）人： | 云南大学 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203;C23C14/34 |
| 代理公司： | 昆明今威专利代理有限公司 53115 | 代理人： | 杨宏珍 |
| 地址： | 650091 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 缓冲 层填埋 断续 生长 尺寸 均匀 单层 ge 量子 方法 | ||
1.一种缓冲层填埋断续生长尺寸高均匀单层Ge量子点的方法，用离子束溅射技术，通过转动高纯Ge靶材和高纯Si靶材的位置，在预处理后的硅基底材料上溅射沉积Ge和Si薄膜；其特征在于本发明的单层Ge量子点的方法先在预处理后的硅基底材料上断续生长厚度为20nm～60nm的Si缓冲层，再在Si缓冲层上断续自组织生长厚度为2.0nm～3.0nm的单层Ge量子点。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述离子束溅射的工作条件是：离子束真空溅射，并使用氩气作为工作气体，氩离子能量为600eV～1400eV，放电电压为75V～80V，生长温度为500℃～700℃，工作室本底真空度8.0×10-5Pa～2.0×10-4Pa，，生长束流为14mA～20mA，溅射压强为2.0×10-2Pa。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述离子束溅射通过下列具体方法自组织生长单层Ge量子点：
A、将预处理后的硅基底材料用高纯氮气吹干，置于溅射室内，待溅射室本底真空度小于2.0×10-4Pa，调整生长温度为500℃～700℃，保持10min～30min；随后向溅射室内充入纯度为5N的Ar气，调节压强为2.0×10-2Pa；
B、在温度为500℃～700℃，氩离子能量为600eV～1400eV，放电电压为75V～80V，生长束流为14mA～20mA，溅射压强为2.0×10-2Pa的条件下，生长厚度为10nm～30nm的Si缓冲层；原位保持5min～15min，再生长10nm～30nm的Si缓冲层；生长结束后原位保持5min～15min；然后在500℃～700℃范围内先生长0.7nm～0.9nm的Ge层，原位保持3min～5min，再生长1.0nm～2.0nm的Ge层；最后自然降温到室温。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
