[发明专利]水性分散体系和多晶硅片的刻蚀方法有效
| 申请号： | 201010179275.8 | 申请日： | 2010-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN102242362A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 刘付胜聪;周作成 | 申请（专利权）人： | E.I.内穆尔杜邦公司 |
| 主分类号： | C23F1/40 | 分类号： | C23F1/40 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 朱黎明 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种用于刻蚀多晶硅片的水性分散体系，它包括一种水性介质和分散于所述水性介质中的氢氧化铋和至少一种阴离子性或非离子性表面活性剂，所述氢氧化铋的浓度为0.0001-0.5mol/l，所述至少一种阴离子性或非离子性表面活性剂的浓度为1-5000ppm(以所述水性分散体系的总重量计)。还公开了用该水性分散体系刻蚀多晶硅片的方法和用此刻蚀方法得到的太阳能多晶硅片电池。 | ||
| 搜索关键词： | 水性 分散 体系 多晶 硅片 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种用于刻蚀多晶硅片的水性分散体系，它包括：(i)一种水性介质；(ii)分散于所述水性介质中的氢氧化铋；和(iii)分散于所述水性介质中的至少一种表面活性剂，所述氢氧化铋在所述水性分散体系中的浓度为0.0001‑0.5mol/l，所述至少一种表面活性剂选自阴离子表面活性剂、非离子性表面活性剂或其混合物，且以所述水性分散体系的总重量计，其在所述水性分散体系中的浓度为1‑5000ppm。
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