[发明专利]水性分散体系和多晶硅片的刻蚀方法

权利要求书

1.一种用于刻蚀多晶硅片的水性分散体系，它包括：

(i)一种水性介质；

(ii)分散于所述水性介质中的氢氧化铋；和

(iii)分散于所述水性介质中的至少一种表面活性剂，

所述氢氧化铋在所述水性分散体系中的浓度为0.0001-0.5mol/l，

所述至少一种表面活性剂选自阴离子表面活性剂、非离子性表面活性剂或其混合物，且以所述水性分散体系的总重量计，其在所述水性分散体系中的浓度为1-5000ppm。

2.如权利要求1所述的水性分散体系，其特征在于所述氢氧化铋在所述水性分散体系中的浓度为0.0005-0.5mol/l，较好为0.001-0.1mol/l，更好为0.002-0.05mol/l。

3.如权利要求1或2所述的水性分散体系，其特征在于，按所述水性分散体系总重量计，所述至少一种表面活性剂在所述水性分散体系中的浓度为1-500ppm，更好为5-100ppm。

4.如权利要求1-3中任一项所述的水性分散体系，其特征在于所述至少一种表面活性剂选自，

(a)通式为(R¹O)(R²O)SO₂的硫酸酯，其中，R¹为一个是烷基，R²为一个氢离子、一个烷基或一个金属阳离子。；

(b)通式为R³SO₃M的磺酸或其金属盐，其中，R³为一个烷基，M为一个氢离子或一个金属阳离子；

(c)通式为R⁴COOM的羧酸或其金属盐，其中，R₄为一个烷基，M为一个氢离子或一个金属阳离子；

(d)通式为(R⁵O)(R⁶O)(R⁷O)PO的磷酸酯，其中，R⁵为一个烷基，R⁶和R⁷可相同或不同并可各自为一个氢原子、一个烷基或一个金属阳离子；

(e)通式为R⁸(R⁹-O)_nR¹⁰的含氟聚醚，其中n为1-10的整数，R⁸、R⁹和R¹⁰可相同或不同并可各自为一个氢离子或一个烷基，并且R⁸、R⁹和R¹⁰中至少有一个是含氟或全氟烷基；

(f)相对分子量在1000以上的高分子化合物表面活性剂；和

两种或多种上述表面活性剂的混合物。

5.如权利要求4所述的水性分散体系，其特征在于，

所述金属阳离子选自锂阳离子、钠阳离子、钾阳离子、镁阳离子、钙阳离子，钡阳离子、铜阳离子、铁阳离子、钴阳离子、镍阳离子、铝阳离子、铟阳离子或锡阳离子，

所述烷基为一个支链烷基或一个具有1-20个碳原子、较好3-15个碳原子、更好5-12个碳原子的直链烷基，所述烷基中的任何一个、多个或全部氢离子可任选地各自被一个或多个取代基所取代，所述取代基选自C_1-10烷氧基、C_1-6羰基、Si_1-6硅烷基、C_2-10酰胺基或芳基，所述芳基选自具有5-22个碳原子、较好5-14个碳原子的芳基。

6.如权利要求4或5所述的水性分散体系，其特征在于所述烷基选自含氟或全氟烷基。