[发明专利]阵列基板制造方法有效
| 申请号: | 201010178636.7 | 申请日: | 2010-05-13 |
| 公开(公告)号: | CN102244082A | 公开(公告)日: | 2011-11-16 |
| 发明(设计)人: | 金利波;邱承彬;夏军;李懿馨;凌严;于祥国 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;H01L21/768 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
| 地址: | 201201 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | 本发明涉及一种阵列基板的制造方法,包括:提供基板,在其上沉积并刻蚀第一金属层,形成第一金属互联线、第一短路线、第一静电放电保护电极;在所述第一短路线、第一金属互联线、第一静电放电保护电极上方形成并刻蚀绝缘层,在所述第一短路线、第一金属互联线、第一静电放电保护电极上方的绝缘层分别形成过孔;在所述绝缘层上方沉积并刻蚀第二金属层形成通过过孔与第一金属互联线电连接的第二金属互联线、第二短路线、通过过孔与第一静电放电保护电极的第二静电放电保护电极,所述第二短路线连接第二金属互联线和第二静电放电保护电极;将第一短路线刻蚀断开。所述方法从第一道工艺开始对X射线探测器进行静电放电保护,没有增加工艺步骤。 | ||
| 搜索关键词: | 阵列 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种具有静电保护的阵列基板制造方法,所述方法包括:提供基板,在所述基板上沉积第一金属层;对所述第一金属层进行刻蚀,形成第一金属互联线、第一短路线、第一静电放电保护电极,所述第一短路线连接第一金属互联线和第一静电放电保护电极;在所述第一短路线、第一金属互联线、第一静电放电保护电极上方形成绝缘层;对所述绝缘层进行刻蚀,在所述第一短路线、第一金属互联线、第一静电放电保护电极上方的绝缘层分别形成过孔;在所述绝缘层上方沉积第二金属层;对所述第二金属层进行刻蚀,形成通过过孔与第一金属互联线电连接的第二金属互联线、第二短路线、通过过孔与第一静电放电保护电极的第二静电放电保护电极,所述第二短路线连接第二金属互联线和第二静电放电保护电极;通过所述第一短路线上的过孔对所述第一短路线进行刻蚀,将所述第一短路线刻蚀断开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





