[发明专利]阵列基板制造方法有效
| 申请号: | 201010178636.7 | 申请日: | 2010-05-13 |
| 公开(公告)号: | CN102244082A | 公开(公告)日: | 2011-11-16 |
| 发明(设计)人: | 金利波;邱承彬;夏军;李懿馨;凌严;于祥国 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;H01L21/768 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
| 地址: | 201201 *** | 国省代码: | 上海;31 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阵列 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及阵列基板制造方法,特别是具有静电保护的阵列基板制造方法。
背景技术
现代医学的发展完全改了人们的生活,很多病症可以在初期就得以知晓而赢得最佳治疗时间,器官的病变可以清晰看见,这都离不开医疗影像技术例如是X射线透射技术。随着科技的发展,X射线透射技术已经走向数字化,数字式X射线技术中最为人们关注的测试仪器是X射线探测器。
请参考图1,图1是现有的X射线探测器的阵列基板电路结构示意图。所述阵列基板包括玻璃基板(未示出),所述玻璃基板上包括显示区域101,显示区域101以外的区域为外围区域。所述显示区域包括若干像素单元,每个像素单元包括一个光电二极管1012和与光电二极管1012的阴极相连的薄膜晶体管1011。所述阵列基板上还具有多条扫描线1013与数据线1014,所述扫描线1013与数据线1014相互垂直分布,其中每一个像素单元的薄膜晶体管1011由对应的扫描线1013与数据线1014所控制。所述扫描线1013或数据线1014在位于非显示区域的外围处理电路的控制下工作。所述光电二极管1012用于光电转换,所述薄膜晶体管1011作为光电二极管1011的控制开关,在所述扫描线1013的驱动下,经过数据线将光电二极管输出的电信号转移至外围处理电路。由外围处理电路对所述电信号进行处理后输出。
在X射线探测器的阵列基板制作过程中,由于某些外在因素,例如连续的制程操作、搬运或者环境变化等,通常会在面板上产生静电荷的积累。由于玻璃本身是绝缘物质,因此除非有适当的放电通道,否则静电荷会一直停留在玻璃基板表面。当静电荷积累到一定数量之后,将会产生放电(ESD,Electrostatic Discharge)。静电放电发生的时间很短,大量的电荷在很短的时间内发生转移将产生极高的电流从而将导致阵列基板上的电路或者基板本身遭到破坏。
现有技术为了避免出现静电放电,一般采用将X射线探测器内的所有金属电极用短路线(short bar)与静电放电保护电极连接在一起,将静电放电保护电极接地,所述静电荷通过短路线以及静电放电保护电极释放。在X射线探测器的阵列基板制作完成后,用激光切线设备将短路线切除。所述静电放电保护的方法需要专用的激光切线设备,通常所述激光切线设备价格昂贵。同时所述静电放电保护的方法还需要增加多余的制造步骤,而增加工艺步骤会增加平板型非晶硅X射线探测器的制造成本。因此,现有技术一般是在制造X射线探测器的阵列基板的过程中形成静电放电保护装置。
如专利号为US7217591B2的美国专利提供了X射线探测器的阵列基板的的制造方法。下面将对所述阵列基板的制造方法进行说明。图2至图6是现有技术阵列基板的制造方法俯视示意图。
首先,参考图2,并结合图7,图7是图2沿AA线的剖面结构示意图。提供基板100,所述基板100为玻璃基板。
然后,在所述基板100上沉积第一金属层,对所述第一金属层进行刻蚀,形成第一金属互联线101。
接着,参考图3,并结合图8,图8是图3沿AA线的剖面结构示意图。在所述基板100上形成绝缘层102,所述绝缘层102位于所述第一金属互联线101上方,并且具有过孔103,所述过孔103露出所述第一金属互联线101。
然后,参考图4,并结合图9,图9是图4沿AA线的剖面结构示意图。在所述绝缘层102上沉积第二金属层,对所述第二金属层进行刻蚀,形成第二金属互联线104、静电放电保护电极106、短路线105,所述短路线105的两端分别连接静电放电保护电极106与所述第二金属互联线104,所述静电放电保护电极106通常接地。所述第二金属互联线104在过孔103处与第一金属互联线101接触,以便于后续形成焊接垫(bonding pad),同时短路线105与静电放电保护电极106构成了静电放电路径,后续制程中的静电荷通过短路线105、静电放电保护电极106释放。
然后,参考图5,并结合图10,图10是图5沿AA线的剖面结构示意图。在所述第二金属互联线104、静电放电保护电极106、短路线105上方沉积形成钝化层107,所述钝化层107在所述短路线105上方具有过孔108,所述过孔108露出短路线105。
最后,参考图6,并结合图11,图11是图6沿AA线的剖面结构示意图。对过孔108下方的部分短路线105进行刻蚀,露出基底100,短路线105移除,静电放电路径与X射线探测器的阵列基板断开。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海天马微电子有限公司,未经上海天马微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010178636.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:测力连接器
- 下一篇:一种含呋喃虫酰肼与抗生素类化合物的杀虫组合物
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





