[发明专利]载流子迁移率的提取方法

摘要

本发明提出一种载流子迁移率的提取方法，包括：测量给定MOS器件的转移特性以及输出特性；根据栅源电压Vgs的初始值和沟道横向电场Ex的初始值获得载流子迁移率的计算值；根据载流子迁移率的计算值计算对应的漏极电流Ids的计算值；将Ids的计算值与实际测量的Ids的测量值进行比较，判断两者误差是否满足精度要求；如果两者误差不满足精度要求，则进一步调整沟道横向电场Ex的值，并重复上述步骤，直至满足精度要求；如果两者误差满足精度要求，则获得Vgs的初始值对应的载流子迁移率值，并按照预定步长继续调整所述Vgs的值，重复上述步骤，直至获得给定Vgs的范围内载流子迁移率的曲线。通过本发明实施例能够获得准确的载流子迁移率μeff的曲线。

主权项

一种载流子迁移率的提取方法，其特征在于，包括以下步骤：测量给定MOS器件的转移特性Ids(Vgs)以及输出特性Ids(Vds)，其中，Vgs为栅源电压，Vds为漏源电压，Ids为漏极电流；给定Vgs的初始值，并假设沟道横向电场Ex的初始值；根据所述Vgs的初始值和Ex的初始值，以及转移特性Ids(Vgs)和输出特性Ids(Vds)，获得载流子迁移率的计算值；根据所述载流子迁移率的计算值计算对应的Ids的计算值；将所述Ids的计算值与实际测量的Ids的测量值进行比较，判断两者误差是否满足精度要求；如果两者误差不满足精度要求，则进一步调整所述沟道横向电场Ex的值，并重复上述步骤，直至满足精度要求；如果两者误差满足精度要求，则获得所述Vgs的初始值对应的载流子迁移率值，并按照预定步长继续调整所述Vgs的值，重复上述步骤，直至获得给定Vgs的范围内载流子迁移率的曲线。