[发明专利]载流子迁移率的提取方法

权利要求书

1.一种载流子迁移率的提取方法，其特征在于，包括以下步骤：

测量给定MOS器件的转移特性I_ds(V_gs)以及输出特性I_ds(V_ds)，其中，V_gs为栅源电压，V_ds为漏源电压，I_ds为漏极电流；

给定V_gs的初始值，并假设沟道横向电场E_x的初始值；

根据所述V_gs的初始值和E_x的初始值，以及转移特性I_ds(V_gs)和输出特性I_ds(V_ds)，获得载流子迁移率的计算值；

根据所述载流子迁移率的计算值计算对应的I_ds的计算值；

将所述I_ds的计算值与实际测量的I_ds的测量值进行比较，判断两者误差是否满足精度要求；

如果两者误差不满足精度要求，则进一步调整所述沟道横向电场E_x的值，并重复上述步骤，直至满足精度要求；

如果两者误差满足精度要求，则获得所述V_gs的初始值对应的载流子迁移率值，并按照预定步长继续调整所述V_gs的值，重复上述步骤，直至获得给定V_gs的范围内载流子迁移率的曲线。

2.如权利要求1所述的载流子迁移率的提取方法，其特征在于，根据所述V_gs的初始值和E_x的初始值，获得载流子迁移率的计算值包括：

根据以下公式计算载流子迁移率：

其中，μ_eff为载流子的有效迁移率，L为MOS器件的有效沟道长度，W为MOS器件的有效沟道宽度，I_ds为漏极电流，V_ds为漏源电压，为反型层电荷，C_gc(V_gs)为栅极到MOS器件沟道的电容，ε_d为扩散能量，q为电子电量，C_ox为栅介质电容，ε_dμ_eff/q为扩散系数，F(V_gs)为反映E_x的函数，其中，

3.如权利要求2所述的载流子迁移率的提取方法，其特征在于，通过公式计算对应的I_ds的计算值，V_t为MOS器件的阈值电压。

4.如权利要求2所述的载流子迁移率的提取方法，其特征在于，所述Q_inv通过采用低频或RF射频方式的Split C-V方法进行测量。

5.如权利要求4所述的载流子迁移率的提取方法，其特征在于，对若干个相同的MOS管并联结构进行测量。

6.如权利要求1所述的载流子迁移率的提取方法，其特征在于，所述判断I_ds的计算值与实际测量的I_ds的测量值两者之间误差是否满足精度要求包括：

根据所述公式|I_ds1-I_ds0|/|I_ds0|＜δ进行判断，其中，I_ds1为计算值，I_ds0为测量值，δ为预设精度值；

如果所述|I_ds1-I_ds0|/|I_ds0|＜δ成立，则判断I_ds的计算值与实际测量的I_ds的测量值两者之间误差满足精度要求；

如果所述|I_ds1-I_ds0|/|I_ds0|＜δ不成立，则判断I_ds的计算值与实际测量的I_ds的测量值两者之间误差不满足精度要求。

7.如权利要求6所述的载流子迁移率的提取方法，其特征在于，所述δ为0.0005-0.001。

8.如权利要求1所述的载流子迁移率的提取方法，其特征在于，所述预定步长为1mV-5mV。