[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201010176927.2 | 申请日： | 2010-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN101834188A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 李正贤;金荣一;李昌洙;马东俊 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非易失性存储器件及其制造方法。提供了具有垂直折叠结构的非易失性存储器件和制造该非易失性存储器件的方法。半导体结构包括基本上垂直的第一部分和第二部分。多个存储单元沿半导体结构的第一部分和第二部分布置并串联连接。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器件，包括：衬底；在所述衬底上的半导体结构，所述半导体结构包括第一部分和第二部分以及底部，所述第一部分和所述第二部分基本上垂直且彼此面对，所述底部连接所述第一部分和所述第二部分；以及多个存储单元，串联连接且沿所述半导体结构的所述第一部分和所述第二部分布置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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