[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器件，包括：

衬底；

在所述衬底上的半导体结构，所述半导体结构包括第一部分和第二部分以及底部，所述第一部分和所述第二部分基本上垂直且彼此面对，所述底部连接所述第一部分和所述第二部分；以及

多个存储单元，串联连接且沿所述半导体结构的所述第一部分和所述第二部分布置。

2.如权利要求1所述的非易失性存储器件，还包括：

在所述半导体结构的所述第一部分和所述第二部分之间的掩埋绝缘层，并且所述多个存储单元位于所述半导体结构的所述第一部分和所述第二部分的在所述掩埋绝缘层的相反侧的侧面上。

3.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中所述多个存储单元中的至少一个包括，

沿所述半导体结构的所述第一部分和所述第二部分的多个控制栅极电极之一，和

在所述第一部分和所述第二部分与所述多个控制栅极电极之间的多个存储介质之一。

4.如权利要求3所述的非易失性存储器件，其中所述多个存储介质连接在所述半导体结构的所述第一部分和所述第二部分上。

5.如权利要求4所述的非易失性存储器件，其中所述多个存储介质围绕所述多个控制栅极电极并在所述半导体结构的所述第一部分和所述第二部分上弯曲。

6.如权利要求3所述的非易失性存储器件，其中所述多个存储介质中的至少一个包括，

在所述半导体结构的所述第一部分和所述第二部分之一上的隧穿绝缘层，

在所述隧穿绝缘层上的电荷存储层，以及

在所述电荷存储层上的阻挡绝缘层。

7.如权利要求1所述的非易失性存储器件，还包括：

在所述多个存储单元之间的多个层间绝缘层。

8.如权利要求7所述的非易失性存储器件，其中所述半导体结构包括在所述多个层间绝缘层上从所述第一部分和所述第二部分的上端延伸的第一顶部和第二顶部。

9.如权利要求8所述的非易失性存储器件，还包括：

串选择晶体管，在所述半导体结构的所述第一顶部上；和

接地选择晶体管，在所述半导体结构的所述第二顶部上。

10.如权利要求9所述的非易失性存储器件，其中所述串选择晶体管和所述接地选择晶体管形成平面沟道结构，该平面沟道结构沿所述半导体结构的所述第一顶部和所述第二顶部延伸。

11.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中所述多个存储单元形成垂直沟道结构，该垂直沟道结构沿所述半导体结构的所述第一部分和所述第二部分延伸。

12.一种制造非易失性存储器件的方法，该方法包括：

在衬底上形成半导体结构，该半导体结构包括第一部分和第二部分以及连接所述第一部分和所述第二部分的底部，所述第一部分和所述第二部分基本上垂直且彼此面对；以及

形成多个存储单元，所述多个存储单元沿所述半导体结构的所述第一部分和所述第二部分布置且串联连接。

13.如权利要求12所述的方法，还包括：

在所述衬底上交替地堆叠多个层间绝缘层和多个牺牲层；

通过蚀刻所述多个层间绝缘层和所述多个牺牲层来形成至少一个沟槽；以及

在所述至少一个沟槽的内表面上形成非晶半导体层，

其中形成所述半导体结构包括晶化所述非晶半导体层。

14.如权利要求13所述的方法，其中晶化所述非晶半导体层包括电子束退火。

15.如权利要求13所述的方法，还包括：

在晶化所述非晶半导体层之前形成掩埋绝缘层以填充所述至少一个沟槽。

16.如权利要求13所述的方法，还包括：

通过在晶化所述非晶半导体层之前选择地去除所述多个牺牲层来形成连接到所述至少一个沟槽的多个隧道；

在所述多个隧道中形成多个存储介质；以及

在所述多个存储介质上形成多个控制栅极电极。

17.如权利要求13所述的方法，其中所述半导体结构形成为包括在所述多个层间绝缘层上从所述第一部分和所述第二部分的上端延伸的第一顶部和第二顶部。

18.如权利要求17所述的方法，还包括：

在所述半导体结构的所述第一顶部上形成串选择晶体管；以及

在所述半导体结构的所述第二顶部上形成接地选择晶体管。